ГлавнаяЖурналПисьма в журнал технической физики официальный сайт
Письма в журнал технической физики официальный сайт
"Письма в журнал технической физики"
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт--Петербург
72
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
70
Храмов А.Е.
Государственный учебно-научный центр "КОЛЛЕДЖ" Саратовского государственного университета
67
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
65
Короновский А.А.
Институт радиотехники и электроники Саратовский филиал
65
Гинзбург Н.С.
Институт прикладной физики АН СССР, Нижний Новгород
58
Дубровский В.Г.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Технический университет, Берлин, Германия
55
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
51
Сергеев А.С.
Институт прикладной физики АН СССР, Нижний Новгород
49
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
46
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
45
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
44
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
43
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Томск
42
Воляр А.В.
Поступило в Редакцию 22 мая г.
41
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
40
Бобашев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
40
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург Кафедра электротехники Унивеситет Штата Колорадо США
39
Шуаибов А.К.
Ужгородский державный университет
39
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
38
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
38
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
38
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
37
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики, Уральское отделение Ижевск
37
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе С.-Петербург
37
Степанов А.Л.
Институт физики 1, Технический университет Аахена, Аахен, Германия
37
Павлов А.Н.
Саратовский государственный университет
36
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург
36
Трушин Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
35
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Томск
35
Дубинов А.Е.
Российский федеральный ядерный центр ВНИИ экспериментальной физики Арзамас-16
35
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
34
Каманина Н.В.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова Санкт-Петербург
34
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
33
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
33
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
33
Фадеева Т.А.
Симферопольский государственный университет им. М.В.Фрунзе
33
Усанов Д.А.
Саратовский государственный университет
32
Леденцов Н.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
32
Погребняк А.Д.
Сумский институт модификации поверхности Сумы, Украина ОИЯИ, Лаборатория нейтронной физики Дубна, Россия Институт сильноточной электроники РАН Томск, Россия
32
Пономаренко В.И.
Институт радиотехники и электроники Саратовский филиал
32
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
31
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
31
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения Санкт-Петербург
31
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики УО РАН Екатеринбург
30
Попов В.Л.
Институт физики прочности материаловедения СО РАН, Томск
29
Дедков Г.В.
Кабардино-Балкарский государственный университет Нальчик
29
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
29
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
28
Рафаилов Э.У.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка
Грант Главы Республики Дагестан в 2106 г., Наука, техника и инновации
1Институт физики им. Х.И. Амирханова ДагНЦ РАН, Махачкала2Дагестанский государственный университет, Махачкала3Московский государственный областной университет
Выполнены сравнительные исследования микроструктуры, оптических и электрических характеристик слоев ZnO, легированного галлием, синтезированных методом магнетронного распыления при ассистировании процесса роста ультрафиолетовым излучением и без ассистирования. Обнаружено, что УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе ZnO способствует улучшению их электрических характеристик за счет создания дополнительных донорных центров и снижения рассеяния носителей заряда на межзеренных границах, существенно не влияя при этом на морфологию слоев и средний коэффициент оптического пропускания в видимой области спектра. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45259.16874
Stadler A. // Materials 2012. V. 5. P. 661
Abduev A., Akmedov A., Asvarov A. et al. // Plasma Process. Polym. 2015. V. 12. P. 725
Horwat D., Mickan M., Chamorro W. // Phys. Status Solidi C. 2016. V. 13. P. 951
Tien Ch.-L., Yu K.-Ch., Tsai T.-Y. et al. // Appl. Surf. Sci. 2015. V. 354. P. 79
Tominaga K., Umezu N., Mori I. et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 316. P. 85
Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2011. V. 291. P. 012039
Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 14. С. 71
Morrison S.R. The chemical physics of surfaces. N. Y.-London: 1977. 415 p. [ Моррисон C. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980, 488 с.]
Tseng Y.-K., Pai F.-M., Chen Y.-Ch. et al. // Electron. Mater. Lett. 2013. V. 9. P. 771
Достанко А.П., Агеев О.А., Голосов Д.А. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 9. С. 1274
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
journals.ioffe.ru
"Письма в журнал технической физики"
Рассмотрены основные проблемы обеспечения высокого быстродействия полупроводниковых лазеров с вертикальным микрорезонатором (так называемых вертикально-излучающих лазеров) при амплитудной модуляции и способы их решения. Обсуждается влияние внутренних свойств излучающей активной области и электрических паразитных элементов эквивалентной схемы лазеров. Представлен обзор подходов, которые приводят к увеличению паразитной частоты отсечки, повышению дифференциального усиления активной области, возможности управления модовым составом излучения и временем жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе, снижению влияния тепловых эффектов. Достигнутый уровень частот эффективной модуляции ~ 30 GHz близок к предельно достижимому для классической схемы прямой токовой модуляции, что определяет необходимость внедрения многоуровневых форматов модуляции для дальнейшего увеличения информационной емкости оптических каналов на основе вертикально-излучающих лазеров. DOI: 10.21883/PJTF.2018.01.45428.17057
VCSELs: fundamentals, technology and applications of vertical-cavity surface-emitting Lasers / Ed. R. Berlin: Michalzik. Springer-Verlag, 2013. 560 p
Soda H., Iga K., Kitahara C. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1979. V. 18. N 12. P. 2329
Guenter J.K., Hawthorne R.A., Granville D.N. et al. // Proc. SPIE. 1996. V. 2683. P. 102
Kuchta D.M., Pepeljugoski P., Kwark Y. // Proc. of LEOS Summer Topical Meeting. IEEE, 2001. P. 49
Suzuki N., Hatakeyama H., Fukatsu K. et al. // Proc. Optical Fiber Communications Conf. Anaheim, USA, 2006. P. OFA4
Yashiki K., Suzuki N., Fukatsu K. et al. // Proc. Optical Fiber Communications Conf. Anaheim, USA, 2007. P. OMKI
Chang Y.-C., Wang C.S., Coldren L.A. // Electron. Lett. 2007. V. 43. Iss. (19). P. 1022
Anan T., Suzuki N., Yashiki K. et al. // Proc. Int. Symp. on VCSELs and integrated photonics. Tokyo, Japan. 2007. P. E3
Westbergh P., Gustavsson J.S., Haglund A. et al. // Electron. Lett. 2008. V. 44. Iss. 15. P. 907
Johnson R., Kuchta D. // Proc. Conf. on lasers and electro-Optics. San Jose, USA, 2008. P. CMW2
Westbergh P., Gustavsson J.S., Haglund A. et al. // Electron. Lett. 2009. V. 45. Iss. 7. P. 366
Blokhin S.A., Lott J.A., Mutig A. et al. // Electron. Lett. 2009. V. 45. Iss. 10. P. 501
Westbergh P., Gustavsson J.S., Kogel B. et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 7952. P. 79520K
Hofmann W., Moser P., Wolf P. et al. // Proc. Optical Fiber Communications Conf. Los Angeles, USA, 2011. P. PDPC5
Westbergh P., Safaisini R., Haglund E. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2013. V. 25. Iss. 8. P. 768
Westbergh P., Haglund E.P., Haglund E. et al. // Electron. Lett. 2013. V. 49. Iss. 16. P. 1021
Tucker R.S. // IEEE J. Lightwave Technol. 1985. V. 3. Iss. 6. P. 1180
Coldren L.A., Corzine S.W. Diode lasers and photonic integrated circuits. N.Y.: Wiley, 1995. 624 p
Agraval G.P. Fiber optic communication systems. N.Y.: John Wiley and Sons Inc., 1997. 576 p
Dutta A.K., Kosaka H., Kurihara K. et al. // IEEE J. Lightwave Technol. 1998. V. 16. Iss. 5. P. 870
Lau K.Y., Yariv A. // IEEE J. Quantum Electron. 1985. V. 21. Iss. 2. P. 121
Al-Omari A.N., Lear K.L. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2004. V. 16. Iss. 4. P. 969
Al-Omari A.N., Lear K.L. // IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 2005. V. 12. Iss. 6. P. 1151
Kojima K., Morgan R.A., Mullally T. et al. // Electron. Lett. 1993. V. 29. Iss. 20. P. 1771
Reiner G., Zeeb E., Moller B. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1995. V. 7. Iss. 7. P. 730
Schubert E.F., Tu L.W., Zydzik G.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. Iss. 4. P. 466
Lear K.L., Schneider R.P. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. Iss. 5. P. 29
Peters M.G., Thibeault B.J., Young D.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. Iss. 25. P. 3411
Newman P.G., Pamulapati J., Shen H. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2000. V. 18. Iss. 3. P. 1619
Strologas J., Hess K. // IEEE Trans. Electron Devices. 2004. V. 51. Iss. 3. P. 506
Hegblom E.R., Babic D.I., Thibeault B.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. Iss. 13. P. 1757
Chang Y.-C., Coldren L.A. // IEEE J. Selected Quantum Electron. 2009. V. 15. Iss. 3. P. 704
Надточий А.М., Блохин С.А., Кузьменков А.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 3. С. 10
Hawkins B.M., Hawthorne III R.A., Guenter J.K. et al. // Proc. IEEE 52nd Electronic Components and Technology Conf. IEEE, 2002. P. 540
Azuchi M., Jikutani N., Arai M. et al. // Proc. Conf. on lasers and electro-optics. Baltimore, USA, 2003. V. 1. P. 163
Ou Y., Gustavsson J.S., Westbergh P. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2009. V. 21. Iss. 24. P. 1840
Larsson A., Westbergh P., Gustavsson J. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2011. N 1. V. 26. P. 014017
Lear K.L., Hietala V.M., Hou H.Q. et al. // Advances in vertical cavity surface emitting lasers. OSA trends in optics and photonics series. 1997. V. 15. P. 69
Lear K.L., Al-Omari A.N. // Proc. SPIE. 2007. V. 6484. P. 64840J
Corzine S.W., Yan R.H., Coldren L.A. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. Iss. 36. P. 2835
Suemune I. // IEEE J. Quantum Electron. 1991. V. 27. Iss. 5. P. 1149
Lester L.F., Offsey S.D., Ridley B.K. et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. Iss. 10. P. 1162
Ralston J.D., Weisser S., Esquivias I. et al. // IEEE J. Quantum Electron. 1993. V. 29. Iss. 6. P. 1648
Mutig A., Lott J.A., Blokhin S.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. Iss. 15. P. 151101
Healy S.B., O'Reilly E.P., Gustavsson J.S. et al. // IEEE J. Quantum Electron. 2010. V. 46. Iss. 4. P. 504
Westbergh P., Gustavsson J., Haglund Angstrem. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2009. V. 15. Iss. 3. P. 694
Arakawa Y., Yariv A. // IEEE J. Quantum Electron. 1986. V. 22. Iss. 9. P. 1887
Uomi K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. N 1. P. 81
Uomi K., Mishima T., Chinone N. // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. N 1. P. 88
Takahashi T., Nishioka M., Arakawa Y. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. Iss. 1. P. 4
Zheng Y., Lin C.-H., Barve A.V. et al. // IEEE Photonics Conf. (IPC 2012). IEEE, 2012. P. 131
Chi K.-L., Hsieh D.-H., Yen J.-L. et al. // IEEE J. Quantum Electron. 2016. V. 52. Iss. 11. P. 2400607
Grundmann M., Bimberg D. // Phys. Status Solidi A. 1997. V. 164. Iss. 1. P. 297
Жуков А.Е., Максимов М.В., Ковш А.Р. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 10. С. 1249
Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 4. С. 385
Su H., Lester L.F. // J. Phys. D. 2005. V. 38. N 13. P. 2112
Tong C.Z., Xu D.W., Yoon S.F. et al. // 2nd IEEE Int. Conf. on broadband network \& multimedia technology (IC-BNMT '09). IEEE, 2009. P. 906
Xu D.W., Yoon S.F., Ding Y. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2011. V. 23. Iss. 2. P. 91
Ding Y., Fan W.J., Xu D.W. et al. // J. Phys. D. 2009. V. 42. N 8. P. 085117
Dery H., Eisenstein G. // IEEE J. Quantum Electron. 2005. V. 41. Iss. 1. P. 26
Matthews D.R., Summers H.D., Smowton P.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. Iss. 26. P. 4904
Belousov M.V., Ledentsov N.N., Maximov M.V. et al. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. Iss. 20. P. 14346
Mutig A., Fiol G., Moser P. et al. // Electron. Lett. 2008. V. 44. Iss. 22. P. 1345
Mutig А., Lott J.A., Blokhin S.A. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2011. V. 17. Iss. 6. P. 1568
Надточий А.М., Блохин С.А., Мутиг А. и др. // ФТП. 2011. Т. 45. B. 5. С. 688
Wolf P., Moser P., Larisch G. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2013. V. 19. Iss. 4. P. 1701207
Tatum J. // Broadband Communications for the Internet Era Symp. Digest. IEEE, 2001. P. 58
Mutig A., Fiol G., Potschke K. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2009. V. 15. Iss. 3. P. 679
Torre M.S., Ranea-Sandoval H.F. // IEEE J. Quantum Electron. 2000. V. 36. Iss. 1. P. 112
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Iss. 6. P. 061104
Blokhin S.A., Lott J.A., Ledentsov N.N. et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 8308. P. 830819
Mutig A., Lott J.A., Blokhin S.A. et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 7952. P. 79520H
Karachinsky L.Ya., Blokhin S.A., Novikov I.I. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2013. V. 28. N 6. P. 065010
Lott J.A., Payusov A.S., Blokhin S.A. et al. // Phys. Status Solidi. C. 2012. V. 9. Iss. 2. P. 290
Moser P., Lott J.A., Bimberg D. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2013. V. 19. Iss. 4. P. 1702212
Li H., Wolf P., Moser P. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2015. V. 21. Iss 6. P. 1700409
Haglund E., Westbergh P., Gustavsson J.S. et al. // Electron. Lett. 2015. V. 51. Iss. 14. P. 1096
Shi J.-W., Chen C.-C., Wu Y.-S. et al. // IEEE J. Quantum Electron. 2009. V. 45. Iss. 7. P. 800
Tan M.P., Fryslie S.T.M., Lott J.A. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2013. V. 25. Iss. 18. P. 1823
Tan M., Kasten A.M., Sulkin J.D. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2013. V. 19. Iss. 4. P. 4900107
Haglund Angstrem., Gustavsson J.S., Vukusic J. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2004. V. 16. Iss. 2. P. 368
Gustavsson J.S., Haglund Angstrem., Bengtsson J. et al. // IEEE J. Quantum Electron. 2004. V. 40. Iss. 6. P. 607
Safaisini R., Haglund E., Westbergh P. et al. // Electron. Lett. 2014. V. 50. Iss. 1. P. 40
Haglund E., Haglund A., Westbergh P. et al. // Electron. Lett. 2012. V. 48. Iss. 9. P. 517
Westbergh P., Gustavsson J.S., Kogel B. et al. // Electron. Lett. 2010. V. 46. Iss. 13. P. 938
Westbergh P., Gustavsson J.S., Kogel B. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2011. V. 17. Iss. 6. P. 1603
Бобров М.А., Блохин С.А., Кузьменков А.Г. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 12. С. 1697
Haglund E.P., Westbergh P., Gustavsson J.S. et al. // IEEE J. Lightwave Technol. 2015. V. 33. Iss. 4. P. 795
Wang J., Ji C., Soderstrom D., Jian T. et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 7952. P. 795205
Osinski M., Nakwaski W. // Int. J. High Speed Electron. Syst. 1994. V. 5. P. 667
Baveja P.P., Kogel B., Westbergh P. et al. // Opt. Express. 2011. V. 19. Iss. 16. P. 15490
Chang Y.-A., Ko T.-S., Chen J.-R. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. N 10. P. 1488
Shi J.-W., Yan J.-C., Wun J.-M. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2013. V. 19. Iss. 2. P. 7900208
Shi J.-W., Wei C.-C., Chen J. et al. // Proc. SPIE. 2017. V. 10122. P. 101220F
Piprek J., Troger T., Schroter B. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1998. V. 10. Iss. 1. P. 81
Moser P., Wolf P., Mutig A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. Iss. 8. P. 081103
Takaki K., Imai S., Kamiya S. et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 7952. P. 795204
Wipiejewski T., Young D.B., Peters M.G. et al. // Electron. Lett. 1995. V. 31. Iss. 4. P. 279
Al-Omari A.N., Carey G.P., Hallstein S. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2006. V. 18. Iss. 11. P. 1225
Liu Y., Ng W.-C., Oyafuso F. et al. // IEE Proc. Optoelectron. 2002. V. 149. Iss. 4. P. 182
Mutig A., Bimberg D. // Adv. Opt. Technol. 2011. V. 2011. P. 290508
Moser P., Lott J.A., Wolf P. et al. // Electron. Lett. 2014. V. 50. Iss. 19. P. 1369
Westbergh P., Safaisini R., Haglund E. et al. // Electron. Lett. 2012. V. 48. Iss. 18. P. 1145
Haglund E., Westbergh P., Gustavsson J.S. et al. // IEEE J. Lightwave Technol. 2016. V. 34. Iss. 2. P. 269
Kasukawa A., Kawakita Y. // IEEE Photonics Conf. (IPC 2015). IEEE, 2015. P. 585
Kuchta D.M., Rylyakov A.V., Doany F.E. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2015. V. 27. Iss. 6. P. 577
Ledentsov N.N., Ledentsov N., Jr., Agustin M. et al. // Nanophotonics. 2017. V. 6. Iss. 5. P. 813.
journals.ioffe.ru
"Письма в журнал технической физики"
Разработана конструкция полосно-пропускающего фильтра, состоящего из диэлектрических слоев с металлическими сетками на поверхностях. Диэлектрические слои являются полуволновыми резонаторами, сетки служат зеркалами с заданными отражательными свойствами, обеспечивающими оптимальные связи между резонаторами и оптимальные связи крайних резонаторов со свободным пространством. Изготовленный опытный образец синтезированного фильтра третьего порядка с центральной частотой полосы пропускания ~12 GHz и относительной ее шириной ~17% показал хорошее согласие теории и эксперимента. Конструкция может использоваться в качестве радиопрозрачных в заданной полосе частот панелей для укрытия микроволновых антенн.
Melo A.M., Kornberg M.A., Kaufman P., Piazzettaet M.H., Bortoluccial E.C., Zakia M.B., Bauer O.H., Poglitsch A., Alves da Silva A.M.P. // Appl. Opt. 2008. V. 47. N 32. P. 6064--6069
Garcia-Vidal F.J., Martin-Moreno L., Ebbesen T.W., Kuipers L. // Rev. Mod. Phys. 2010. V. 82. N 1. P. 729--788
Tomasek P. // Int. J. Circ. Syst. Signal Proc. 2014. V. 8. P. 594--599
Oh S., Lee H., Jung J.-H., Lee G.-Y. // Int. J. Microwave Sci. Technol. 2014. V. 2014. P. 857582 (1--5)
Ade P.A.R., Pisano G., Tucker C., Weaver S. // Proc. SPIE. 2006. V. 6275. P. 62750U-1
Zhou H., Qu S.-B., Wang J.-F., Lin B.-Q., Ma H., Xu Z., Bai P., Peng W.-D. // Electron. Lett. 2012. V. 48. N 1. P. 11--12
Munk B.A. Frequency selective surfaces: theory and design. N. Y.: Wiley-Interscience, 2000. 410 p
Belyaev B.A., Tyurnev V.V. // Opt. Lett. 2015. V. 40. N 18. P. 4333--4335
Abadi S.M.A.M.H., Behdad N. // IEEE Transact. Antennas Propagation. 2015. V. 63. N 11. P. 4766--4774
Belyaev B.A., Tyurnev V.V. // Opt. Lett. 2016. V. 41. N 3. P. 536--539
Гупта К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств. М.: Радио и связь, 1987. 104 с
Беляев Б.А., Тюрнев В.В. // РЭ. 2017. Т. 62. N 7. С. 642--650
Mainwaring A., Умнов А.Л., Шуралев М.О., Ельцов А.Ю. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 4. С. 68--75
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
journals.ioffe.ru
"Письма в журнал технической физики"
Представлен коаксиальный резонатор нового типа. Он образован двумя коаксиальными проводниками на внутренней и внешней поверхности керамической трубки, помещенной в металлический корпус. Получено уравнение для резонансных частот. Предлагаемый резонатор по сравнению с обычным четвертьволновым коаксиальным резонатором имеет укороченную длину и многократно повышенное отношение второй резонансной частоты к первой. Резонатор позволяет проектировать полосно-пропускающие фильтры со сверхширокой полосой заграждения. Приведена амплитудно-частотная характеристика изготовленного четырехрезонаторного фильтра, полоса заграждения которого по уровню не хуже -90 dB простирается до частоты, в 47 раз превышающей центральную частоту полосы пропускания.
Hong J.-S., Lancaster M.J. // Microstrip filers for RF/microwave applications, New York--Chichester--Weinheim--Brisbane--Singapore--Toronto: John Wiley \& Sons, 2001
Belyaev B.A., Leksikov A.A., Serzhantov A.M., Tyurnev V.V. // Progress in Electromagnetic Research C. 2010. V. 15. P. 219--231
Беляев Б.А., Лексиков А.А., Тюрнев В.В., Казаков А.В. Патент на изобретение N 2237320, 2004 / Официальный бюллетень Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам. М.: ФИПС, 2004. Бюллетень N 27
Беляев Б.А., Сержантов А.М., Бальва Я.Ф. // Радиотехника и электроника. 2008. Т. 53. N 4. С. 432--440
Ситникова М.Ф., Вендик И.Б., Вендик О.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 18. С. 67--74
Вендик И.Б., Вендик О.Г., Земляков К.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 9. С. 64--69
Matthaei J.L. // Microwave J. 1963. V. 6. P. 82--91
Makimoto M., Yamashita S. Microwave resonators and filters for wireless communication: theory, design, and application. Berlin--Heidelberg--New York: Springer-Verlag, 2001
Sagawa M., Makimoto M., Yamashita S. // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1985. V. MTT-33. N 2. P. 152--157
Hano K., Kohriyama H., Sawamoto K.-I. // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1986. V. MTT-34. N 9. P. 972--976
Hey-Shipton G.L. // Watkins--Johnson Co. Tech-Notes. 1990. Sep./Oct. V. 17
Yamashita S., Makimoto M. // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1983. N 9. V. MTT-31. P. 697--703
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
journals.ioffe.ru
"Письма в журнал технической физики"
Создана малогабаритная широкополосная волноводная согласованная нагрузка на основе брэгговских структур, содержащая последовательно расположенные нанометровые металлические и диэлектрические слои, предназначенные для использования в диапазоне частот 140-210 GHz. В этом диапазоне частот экспериментально получены значения коэффициента стоячей волны по напряжению менее 1.3. DOI: 10.21883/PJTF.2018.05.45709.16979
Xelszajn J. Passive and active microwave circuits. N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto: John Wiley \& Sons, 1978. 284 p
Lee K.A., Guo Y., Stimson Ph.A., Potter K.A., Chiao J.-C., Rutledge D.B. // IEEE Transact. Antennas Propagation. 1991. V. 39. N 3. P. 425--428
Joannopoulos I.D., Villenneuve Pierre R., Fan S. // Nature. 1997. V. 386. N 13. P. 143--149
Yablonovitch E., Gmitter T.J., Leung K.M. // Phys. Rev. Lett. 1991. V. 67. N 17. P. 2295--2298
Usanov D.A., Skripal A.V., Abramov A.V., Bogolubov A.S., Skvortsov V.S., Merdanov M.K. // Proc. of the 38th Eur. Microwave Conf. Amsterdam, Netherlands, 2008. P. 484--487
Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Скворцов В.С., Мерданов М.К. Патент РФ на изобретение 2360336 C1 МПК H01P 7/00. Широкополосная волноводная согласованная нагрузка. Опубл. 27.06.2009. Бюл. N 18
Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мещанов В.П., Попова Н.Ф., Пономарев Д.В. Патент РФ на изобретение 2601612 C1 МПК H01P 1/26. Волноводная согласованная нагрузка. Заявка: 2015120704/28 2012137649/07 от 01.06.2015. Опубл. 10.11.2016. Бюл. N 31
Усанов Д.А., Мещанов В.П., Скрипаль А.В., Попова Н.Ф., Пономарев Д.В., Мерданов М.К. // ЖТФ. 2017. Т. 87. В. 2. С. 216--220
Братман В.Л., Литвак А.Г., Суворов Е.В. // УФН. 2011. Т. 181. N 8. С. 867--874
Zhu Z., Zhang X., Gu J., Singh R., Tian Z., Han J., Zhang W. // IEEE Transact. Terahertz Sci. Technol. 2013. V. 3. N 6. P. 832--837
Nagatsuma T., Ducournau G., Renaud C.C. // Nature Photon. 2016. V. 10. P. 371--379
Андреев В.Г., Ангелуц А.А., Вдовин В.А., Лукичев В.Ф. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 4. С. 52--60
Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 5. С. 112--117
Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Горлицкий В.О. // ЖТФ. 2016. Т. 86. В. 2. С. 65--70
http://npp-elmika.ru/info/index.php?id=151
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
