Письма в журнал технической физики официальный сайт
"Письма в журнал технической физики"
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт--Петербург
72
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
70
Храмов А.Е.
Государственный учебно-научный центр "КОЛЛЕДЖ" Саратовского государственного университета
67
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
65
Короновский А.А.
Институт радиотехники и электроники Саратовский филиал
65
Гинзбург Н.С.
Институт прикладной физики АН СССР, Нижний Новгород
58
Дубровский В.Г.
Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Технический университет, Берлин, Германия
55
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
51
Сергеев А.С.
Институт прикладной физики АН СССР, Нижний Новгород
49
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
46
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
45
Ширяева С.О.
Ярославский государственный университет
44
Григорьев А.И.
Ярославский государственный университет
43
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Томск
42
Воляр А.В.
Поступило в Редакцию 22 мая г.
41
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
40
Бобашев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
40
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН Санкт-Петербург Кафедра электротехники Унивеситет Штата Колорадо США
39
Шуаибов А.К.
Ужгородский державный университет
39
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
38
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
38
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
38
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
37
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики, Уральское отделение Ижевск
37
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе С.-Петербург
37
Степанов А.Л.
Институт физики 1, Технический университет Аахена, Аахен, Германия
37
Павлов А.Н.
Саратовский государственный университет
36
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург
36
Трушин Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
35
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Томск
35
Дубинов А.Е.
Российский федеральный ядерный центр ВНИИ экспериментальной физики Арзамас-16
35
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
34
Каманина Н.В.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова Санкт-Петербург
34
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
33
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
33
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
33
Фадеева Т.А.
Симферопольский государственный университет им. М.В.Фрунзе
33
Усанов Д.А.
Саратовский государственный университет
32
Леденцов Н.Н.
Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
32
Погребняк А.Д.
Сумский институт модификации поверхности Сумы, Украина ОИЯИ, Лаборатория нейтронной физики Дубна, Россия Институт сильноточной электроники РАН Томск, Россия
32
Пономаренко В.И.
Институт радиотехники и электроники Саратовский филиал
32
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
31
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
31
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения Санкт-Петербург
31
Зубарев Н.М.
Институт электрофизики УО РАН Екатеринбург
30
Попов В.Л.
Институт физики прочности материаловедения СО РАН, Томск
29
Дедков Г.В.
Кабардино-Балкарский государственный университет Нальчик
29
Дюделев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
29
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
28
Рафаилов Э.У.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
28
journals.ioffe.ru
"Журнал технической физики"
Журнал технической физики, 2016, том 86, выпуск 1
Вендик И.Б., Вендик О.Г., Козлов Д.С., Мунина И.В., Плескачев В.В., Русаков А.С., Туральчук П.А.
Теоретическая и математическая физика
Старков А.С., Пахомов О.В., Старков И.А.
Атомная и молекулярная физика
Реутов В.Ф., Дмитриев С.Н., Сохацкий А.С., Залужный А.Г.
Газы и жидкости
Ширяева С.О., Петрушов Н.А., Григорьев А.И.
Ширяева С.О., Леснугина Д.Е., Петрушов Н.А., Григорьев А.И.
Плазма
Абрамов А.В., Панкратова Е.А., Суровцев И.С., Золототрубов Д.Ю.
Тарасов И.К., Тарасов М.И., Ситников Д.А., Пашнев В.К., Лытова М.А.
Вересов Л.П., Вересов О.Л.
Булат Л.П., Новотельнова А.В., Пшенай-Северин Д.А., Освенский В.Б., Сорокин А.И., Асач А.В., Тукмакова А.С.
Твердое тело
Гаркушин Г.В., Наумова Н.С., Атрошенко С.А., Разоренов С.В.
Физическое материаловедение
Мухортов В.М., Головко Ю.И., Бирюков С.В., Анохин А., Юзюк Ю.И.
Чернов В.М., Леонтьева-Смирнова М.В., Потапенко М.М., Полехина Н.А., Литовченко И.Ю., Тюменцев А.Н., Астафурова Е.Г., Хромова Л.П.
Физика низкоразмерных структур
Ушаков А.В., Карпов И.В., Лепешев А.А., Федоров Л.Ю., Шайхадинов А.А.
Антонов Д.Н., Бурцев А.А., Бутковский О.Я.
Электрофизика, электронные и ионные пучки, физика ускорителей
Галль Л.Н., Масюкевич С.В., Саченко В.Д., Галль Н.Р.
Богомягков А.В., Карюкина К.Ю., Левичев Е.Б.
Оптические приборы и методы эксперимента
Кривошеев С.И., Шнеерсон Г.А., Платонов В.В., Селемир В.Д., Таценко О.М., Филиппов А.В., Бычкова Е.А.
Краткие сообщения
Зубарев Н.М., Зубарева О.В.
Сатонкина Н.П., Рубцов И.А.
Клементьева И.Б., Пинчук М.Э., Тепляков И.О.
Глухова О.Е., Колесникова А.С., Слепченков М.М.
Соломкин Ф.Ю., Новиков С.В., Картенко Н.Ф., Колосова А.С., Пшенай-Северин Д.А., Урюпин О.Н., Самунин А.Ю., Исаченко Г.Н.
journals.ioffe.ru
"Письма в журнал технической физики"
УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка
Грант Главы Республики Дагестан в 2106 г., Наука, техника и инновации
1Институт физики им. Х.И. Амирханова ДагНЦ РАН, Махачкала2Дагестанский государственный университет, Махачкала3Московский государственный областной университет
Email: [email protected]
Поступила в редакцию: 17 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Выполнены сравнительные исследования микроструктуры, оптических и электрических характеристик слоев ZnO, легированного галлием, синтезированных методом магнетронного распыления при ассистировании процесса роста ультрафиолетовым излучением и без ассистирования. Обнаружено, что УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе ZnO способствует улучшению их электрических характеристик за счет создания дополнительных донорных центров и снижения рассеяния носителей заряда на межзеренных границах, существенно не влияя при этом на морфологию слоев и средний коэффициент оптического пропускания в видимой области спектра. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45259.16874
Stadler A. // Materials 2012. V. 5. P. 661 Abduev A., Akmedov A., Asvarov A. et al. // Plasma Process. Polym. 2015. V. 12. P. 725 Horwat D., Mickan M., Chamorro W. // Phys. Status Solidi C. 2016. V. 13. P. 951 Tien Ch.-L., Yu K.-Ch., Tsai T.-Y. et al. // Appl. Surf. Sci. 2015. V. 354. P. 79 Tominaga K., Umezu N., Mori I. et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 316. P. 85 Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2011. V. 291. P. 012039 Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 14. С. 71 Morrison S.R. The chemical physics of surfaces. N. Y.-London: 1977. 415 p. [ Моррисон C. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980, 488 с.] Tseng Y.-K., Pai F.-M., Chen Y.-Ch. et al. // Electron. Mater. Lett. 2013. V. 9. P. 771 Достанко А.П., Агеев О.А., Голосов Д.А. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 9. С. 1274 Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
journals.ioffe.ru
"Письма в журнал технической физики"
Рассмотрены основные проблемы обеспечения высокого быстродействия полупроводниковых лазеров с вертикальным микрорезонатором (так называемых вертикально-излучающих лазеров) при амплитудной модуляции и способы их решения. Обсуждается влияние внутренних свойств излучающей активной области и электрических паразитных элементов эквивалентной схемы лазеров. Представлен обзор подходов, которые приводят к увеличению паразитной частоты отсечки, повышению дифференциального усиления активной области, возможности управления модовым составом излучения и временем жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе, снижению влияния тепловых эффектов. Достигнутый уровень частот эффективной модуляции ~ 30 GHz близок к предельно достижимому для классической схемы прямой токовой модуляции, что определяет необходимость внедрения многоуровневых форматов модуляции для дальнейшего увеличения информационной емкости оптических каналов на основе вертикально-излучающих лазеров. DOI: 10.21883/PJTF.2018.01.45428.17057
VCSELs: fundamentals, technology and applications of vertical-cavity surface-emitting Lasers / Ed. R. Berlin: Michalzik. Springer-Verlag, 2013. 560 p Soda H., Iga K., Kitahara C. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1979. V. 18. N 12. P. 2329 Guenter J.K., Hawthorne R.A., Granville D.N. et al. // Proc. SPIE. 1996. V. 2683. P. 102 Kuchta D.M., Pepeljugoski P., Kwark Y. // Proc. of LEOS Summer Topical Meeting. IEEE, 2001. P. 49 Suzuki N., Hatakeyama H., Fukatsu K. et al. // Proc. Optical Fiber Communications Conf. Anaheim, USA, 2006. P. OFA4 Yashiki K., Suzuki N., Fukatsu K. et al. // Proc. Optical Fiber Communications Conf. Anaheim, USA, 2007. P. OMKI Chang Y.-C., Wang C.S., Coldren L.A. // Electron. Lett. 2007. V. 43. Iss. (19). P. 1022 Anan T., Suzuki N., Yashiki K. et al. // Proc. Int. Symp. on VCSELs and integrated photonics. Tokyo, Japan. 2007. P. E3 Westbergh P., Gustavsson J.S., Haglund A. et al. // Electron. Lett. 2008. V. 44. Iss. 15. P. 907 Johnson R., Kuchta D. // Proc. Conf. on lasers and electro-Optics. San Jose, USA, 2008. P. CMW2 Westbergh P., Gustavsson J.S., Haglund A. et al. // Electron. Lett. 2009. V. 45. Iss. 7. P. 366 Blokhin S.A., Lott J.A., Mutig A. et al. // Electron. Lett. 2009. V. 45. Iss. 10. P. 501 Westbergh P., Gustavsson J.S., Kogel B. et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 7952. P. 79520K Hofmann W., Moser P., Wolf P. et al. // Proc. Optical Fiber Communications Conf. Los Angeles, USA, 2011. P. PDPC5 Westbergh P., Safaisini R., Haglund E. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2013. V. 25. Iss. 8. P. 768 Westbergh P., Haglund E.P., Haglund E. et al. // Electron. Lett. 2013. V. 49. Iss. 16. P. 1021 Tucker R.S. // IEEE J. Lightwave Technol. 1985. V. 3. Iss. 6. P. 1180 Coldren L.A., Corzine S.W. Diode lasers and photonic integrated circuits. N.Y.: Wiley, 1995. 624 p Agraval G.P. Fiber optic communication systems. N.Y.: John Wiley and Sons Inc., 1997. 576 p Dutta A.K., Kosaka H., Kurihara K. et al. // IEEE J. Lightwave Technol. 1998. V. 16. Iss. 5. P. 870 Lau K.Y., Yariv A. // IEEE J. Quantum Electron. 1985. V. 21. Iss. 2. P. 121 Al-Omari A.N., Lear K.L. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2004. V. 16. Iss. 4. P. 969 Al-Omari A.N., Lear K.L. // IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 2005. V. 12. Iss. 6. P. 1151 Kojima K., Morgan R.A., Mullally T. et al. // Electron. Lett. 1993. V. 29. Iss. 20. P. 1771 Reiner G., Zeeb E., Moller B. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1995. V. 7. Iss. 7. P. 730 Schubert E.F., Tu L.W., Zydzik G.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. Iss. 4. P. 466 Lear K.L., Schneider R.P. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. Iss. 5. P. 29 Peters M.G., Thibeault B.J., Young D.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. Iss. 25. P. 3411 Newman P.G., Pamulapati J., Shen H. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2000. V. 18. Iss. 3. P. 1619 Strologas J., Hess K. // IEEE Trans. Electron Devices. 2004. V. 51. Iss. 3. P. 506 Hegblom E.R., Babic D.I., Thibeault B.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. Iss. 13. P. 1757 Chang Y.-C., Coldren L.A. // IEEE J. Selected Quantum Electron. 2009. V. 15. Iss. 3. P. 704 Надточий А.М., Блохин С.А., Кузьменков А.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 3. С. 10 Hawkins B.M., Hawthorne III R.A., Guenter J.K. et al. // Proc. IEEE 52nd Electronic Components and Technology Conf. IEEE, 2002. P. 540 Azuchi M., Jikutani N., Arai M. et al. // Proc. Conf. on lasers and electro-optics. Baltimore, USA, 2003. V. 1. P. 163 Ou Y., Gustavsson J.S., Westbergh P. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2009. V. 21. Iss. 24. P. 1840 Larsson A., Westbergh P., Gustavsson J. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2011. N 1. V. 26. P. 014017 Lear K.L., Hietala V.M., Hou H.Q. et al. // Advances in vertical cavity surface emitting lasers. OSA trends in optics and photonics series. 1997. V. 15. P. 69 Lear K.L., Al-Omari A.N. // Proc. SPIE. 2007. V. 6484. P. 64840J Corzine S.W., Yan R.H., Coldren L.A. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. Iss. 36. P. 2835 Suemune I. // IEEE J. Quantum Electron. 1991. V. 27. Iss. 5. P. 1149 Lester L.F., Offsey S.D., Ridley B.K. et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. Iss. 10. P. 1162 Ralston J.D., Weisser S., Esquivias I. et al. // IEEE J. Quantum Electron. 1993. V. 29. Iss. 6. P. 1648 Mutig A., Lott J.A., Blokhin S.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. Iss. 15. P. 151101 Healy S.B., O'Reilly E.P., Gustavsson J.S. et al. // IEEE J. Quantum Electron. 2010. V. 46. Iss. 4. P. 504 Westbergh P., Gustavsson J., Haglund Angstrem. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2009. V. 15. Iss. 3. P. 694 Arakawa Y., Yariv A. // IEEE J. Quantum Electron. 1986. V. 22. Iss. 9. P. 1887 Uomi K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. N 1. P. 81 Uomi K., Mishima T., Chinone N. // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. N 1. P. 88 Takahashi T., Nishioka M., Arakawa Y. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. Iss. 1. P. 4 Zheng Y., Lin C.-H., Barve A.V. et al. // IEEE Photonics Conf. (IPC 2012). IEEE, 2012. P. 131 Chi K.-L., Hsieh D.-H., Yen J.-L. et al. // IEEE J. Quantum Electron. 2016. V. 52. Iss. 11. P. 2400607 Grundmann M., Bimberg D. // Phys. Status Solidi A. 1997. V. 164. Iss. 1. P. 297 Жуков А.Е., Максимов М.В., Ковш А.Р. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 10. С. 1249 Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 4. С. 385 Su H., Lester L.F. // J. Phys. D. 2005. V. 38. N 13. P. 2112 Tong C.Z., Xu D.W., Yoon S.F. et al. // 2nd IEEE Int. Conf. on broadband network \& multimedia technology (IC-BNMT '09). IEEE, 2009. P. 906 Xu D.W., Yoon S.F., Ding Y. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2011. V. 23. Iss. 2. P. 91 Ding Y., Fan W.J., Xu D.W. et al. // J. Phys. D. 2009. V. 42. N 8. P. 085117 Dery H., Eisenstein G. // IEEE J. Quantum Electron. 2005. V. 41. Iss. 1. P. 26 Matthews D.R., Summers H.D., Smowton P.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. Iss. 26. P. 4904 Belousov M.V., Ledentsov N.N., Maximov M.V. et al. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. Iss. 20. P. 14346 Mutig A., Fiol G., Moser P. et al. // Electron. Lett. 2008. V. 44. Iss. 22. P. 1345 Mutig А., Lott J.A., Blokhin S.A. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2011. V. 17. Iss. 6. P. 1568 Надточий А.М., Блохин С.А., Мутиг А. и др. // ФТП. 2011. Т. 45. B. 5. С. 688 Wolf P., Moser P., Larisch G. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2013. V. 19. Iss. 4. P. 1701207 Tatum J. // Broadband Communications for the Internet Era Symp. Digest. IEEE, 2001. P. 58 Mutig A., Fiol G., Potschke K. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2009. V. 15. Iss. 3. P. 679 Torre M.S., Ranea-Sandoval H.F. // IEEE J. Quantum Electron. 2000. V. 36. Iss. 1. P. 112 Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Iss. 6. P. 061104 Blokhin S.A., Lott J.A., Ledentsov N.N. et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 8308. P. 830819 Mutig A., Lott J.A., Blokhin S.A. et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 7952. P. 79520H Karachinsky L.Ya., Blokhin S.A., Novikov I.I. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2013. V. 28. N 6. P. 065010 Lott J.A., Payusov A.S., Blokhin S.A. et al. // Phys. Status Solidi. C. 2012. V. 9. Iss. 2. P. 290 Moser P., Lott J.A., Bimberg D. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2013. V. 19. Iss. 4. P. 1702212 Li H., Wolf P., Moser P. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2015. V. 21. Iss 6. P. 1700409 Haglund E., Westbergh P., Gustavsson J.S. et al. // Electron. Lett. 2015. V. 51. Iss. 14. P. 1096 Shi J.-W., Chen C.-C., Wu Y.-S. et al. // IEEE J. Quantum Electron. 2009. V. 45. Iss. 7. P. 800 Tan M.P., Fryslie S.T.M., Lott J.A. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2013. V. 25. Iss. 18. P. 1823 Tan M., Kasten A.M., Sulkin J.D. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2013. V. 19. Iss. 4. P. 4900107 Haglund Angstrem., Gustavsson J.S., Vukusic J. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2004. V. 16. Iss. 2. P. 368 Gustavsson J.S., Haglund Angstrem., Bengtsson J. et al. // IEEE J. Quantum Electron. 2004. V. 40. Iss. 6. P. 607 Safaisini R., Haglund E., Westbergh P. et al. // Electron. Lett. 2014. V. 50. Iss. 1. P. 40 Haglund E., Haglund A., Westbergh P. et al. // Electron. Lett. 2012. V. 48. Iss. 9. P. 517 Westbergh P., Gustavsson J.S., Kogel B. et al. // Electron. Lett. 2010. V. 46. Iss. 13. P. 938 Westbergh P., Gustavsson J.S., Kogel B. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2011. V. 17. Iss. 6. P. 1603 Бобров М.А., Блохин С.А., Кузьменков А.Г. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 12. С. 1697 Haglund E.P., Westbergh P., Gustavsson J.S. et al. // IEEE J. Lightwave Technol. 2015. V. 33. Iss. 4. P. 795 Wang J., Ji C., Soderstrom D., Jian T. et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 7952. P. 795205 Osinski M., Nakwaski W. // Int. J. High Speed Electron. Syst. 1994. V. 5. P. 667 Baveja P.P., Kogel B., Westbergh P. et al. // Opt. Express. 2011. V. 19. Iss. 16. P. 15490 Chang Y.-A., Ko T.-S., Chen J.-R. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. N 10. P. 1488 Shi J.-W., Yan J.-C., Wun J.-M. et al. // IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 2013. V. 19. Iss. 2. P. 7900208 Shi J.-W., Wei C.-C., Chen J. et al. // Proc. SPIE. 2017. V. 10122. P. 101220F Piprek J., Troger T., Schroter B. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 1998. V. 10. Iss. 1. P. 81 Moser P., Wolf P., Mutig A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. Iss. 8. P. 081103 Takaki K., Imai S., Kamiya S. et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 7952. P. 795204 Wipiejewski T., Young D.B., Peters M.G. et al. // Electron. Lett. 1995. V. 31. Iss. 4. P. 279 Al-Omari A.N., Carey G.P., Hallstein S. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2006. V. 18. Iss. 11. P. 1225 Liu Y., Ng W.-C., Oyafuso F. et al. // IEE Proc. Optoelectron. 2002. V. 149. Iss. 4. P. 182 Mutig A., Bimberg D. // Adv. Opt. Technol. 2011. V. 2011. P. 290508 Moser P., Lott J.A., Wolf P. et al. // Electron. Lett. 2014. V. 50. Iss. 19. P. 1369 Westbergh P., Safaisini R., Haglund E. et al. // Electron. Lett. 2012. V. 48. Iss. 18. P. 1145 Haglund E., Westbergh P., Gustavsson J.S. et al. // IEEE J. Lightwave Technol. 2016. V. 34. Iss. 2. P. 269 Kasukawa A., Kawakita Y. // IEEE Photonics Conf. (IPC 2015). IEEE, 2015. P. 585 Kuchta D.M., Rylyakov A.V., Doany F.E. et al. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2015. V. 27. Iss. 6. P. 577 Ledentsov N.N., Ledentsov N., Jr., Agustin M. et al. // Nanophotonics. 2017. V. 6. Iss. 5. P. 813. journals.ioffe.ru
"Письма в журнал технической физики"
Разработана конструкция полосно-пропускающего фильтра, состоящего из диэлектрических слоев с металлическими сетками на поверхностях. Диэлектрические слои являются полуволновыми резонаторами, сетки служат зеркалами с заданными отражательными свойствами, обеспечивающими оптимальные связи между резонаторами и оптимальные связи крайних резонаторов со свободным пространством. Изготовленный опытный образец синтезированного фильтра третьего порядка с центральной частотой полосы пропускания ~12 GHz и относительной ее шириной ~17% показал хорошее согласие теории и эксперимента. Конструкция может использоваться в качестве радиопрозрачных в заданной полосе частот панелей для укрытия микроволновых антенн.
Melo A.M., Kornberg M.A., Kaufman P., Piazzettaet M.H., Bortoluccial E.C., Zakia M.B., Bauer O.H., Poglitsch A., Alves da Silva A.M.P. // Appl. Opt. 2008. V. 47. N 32. P. 6064--6069 Garcia-Vidal F.J., Martin-Moreno L., Ebbesen T.W., Kuipers L. // Rev. Mod. Phys. 2010. V. 82. N 1. P. 729--788 Tomasek P. // Int. J. Circ. Syst. Signal Proc. 2014. V. 8. P. 594--599 Oh S., Lee H., Jung J.-H., Lee G.-Y. // Int. J. Microwave Sci. Technol. 2014. V. 2014. P. 857582 (1--5) Ade P.A.R., Pisano G., Tucker C., Weaver S. // Proc. SPIE. 2006. V. 6275. P. 62750U-1 Zhou H., Qu S.-B., Wang J.-F., Lin B.-Q., Ma H., Xu Z., Bai P., Peng W.-D. // Electron. Lett. 2012. V. 48. N 1. P. 11--12 Munk B.A. Frequency selective surfaces: theory and design. N. Y.: Wiley-Interscience, 2000. 410 p Belyaev B.A., Tyurnev V.V. // Opt. Lett. 2015. V. 40. N 18. P. 4333--4335 Abadi S.M.A.M.H., Behdad N. // IEEE Transact. Antennas Propagation. 2015. V. 63. N 11. P. 4766--4774 Belyaev B.A., Tyurnev V.V. // Opt. Lett. 2016. V. 41. N 3. P. 536--539 Гупта К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств. М.: Радио и связь, 1987. 104 с Беляев Б.А., Тюрнев В.В. // РЭ. 2017. Т. 62. N 7. С. 642--650 Mainwaring A., Умнов А.Л., Шуралев М.О., Ельцов А.Ю. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 4. С. 68--75 Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
journals.ioffe.ru
"Письма в журнал технической физики"
Представлен коаксиальный резонатор нового типа. Он образован двумя коаксиальными проводниками на внутренней и внешней поверхности керамической трубки, помещенной в металлический корпус. Получено уравнение для резонансных частот. Предлагаемый резонатор по сравнению с обычным четвертьволновым коаксиальным резонатором имеет укороченную длину и многократно повышенное отношение второй резонансной частоты к первой. Резонатор позволяет проектировать полосно-пропускающие фильтры со сверхширокой полосой заграждения. Приведена амплитудно-частотная характеристика изготовленного четырехрезонаторного фильтра, полоса заграждения которого по уровню не хуже -90 dB простирается до частоты, в 47 раз превышающей центральную частоту полосы пропускания.
Hong J.-S., Lancaster M.J. // Microstrip filers for RF/microwave applications, New York--Chichester--Weinheim--Brisbane--Singapore--Toronto: John Wiley \& Sons, 2001 Belyaev B.A., Leksikov A.A., Serzhantov A.M., Tyurnev V.V. // Progress in Electromagnetic Research C. 2010. V. 15. P. 219--231 Беляев Б.А., Лексиков А.А., Тюрнев В.В., Казаков А.В. Патент на изобретение N 2237320, 2004 / Официальный бюллетень Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам. М.: ФИПС, 2004. Бюллетень N 27 Беляев Б.А., Сержантов А.М., Бальва Я.Ф. // Радиотехника и электроника. 2008. Т. 53. N 4. С. 432--440 Ситникова М.Ф., Вендик И.Б., Вендик О.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 18. С. 67--74 Вендик И.Б., Вендик О.Г., Земляков К.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 9. С. 64--69 Matthaei J.L. // Microwave J. 1963. V. 6. P. 82--91 Makimoto M., Yamashita S. Microwave resonators and filters for wireless communication: theory, design, and application. Berlin--Heidelberg--New York: Springer-Verlag, 2001 Sagawa M., Makimoto M., Yamashita S. // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1985. V. MTT-33. N 2. P. 152--157 Hano K., Kohriyama H., Sawamoto K.-I. // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1986. V. MTT-34. N 9. P. 972--976 Hey-Shipton G.L. // Watkins--Johnson Co. Tech-Notes. 1990. Sep./Oct. V. 17 Yamashita S., Makimoto M. // IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques. 1983. N 9. V. MTT-31. P. 697--703 Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
journals.ioffe.ru
"Письма в журнал технической физики"
Создана малогабаритная широкополосная волноводная согласованная нагрузка на основе брэгговских структур, содержащая последовательно расположенные нанометровые металлические и диэлектрические слои, предназначенные для использования в диапазоне частот 140-210 GHz. В этом диапазоне частот экспериментально получены значения коэффициента стоячей волны по напряжению менее 1.3. DOI: 10.21883/PJTF.2018.05.45709.16979
Xelszajn J. Passive and active microwave circuits. N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto: John Wiley \& Sons, 1978. 284 p Lee K.A., Guo Y., Stimson Ph.A., Potter K.A., Chiao J.-C., Rutledge D.B. // IEEE Transact. Antennas Propagation. 1991. V. 39. N 3. P. 425--428 Joannopoulos I.D., Villenneuve Pierre R., Fan S. // Nature. 1997. V. 386. N 13. P. 143--149 Yablonovitch E., Gmitter T.J., Leung K.M. // Phys. Rev. Lett. 1991. V. 67. N 17. P. 2295--2298 Usanov D.A., Skripal A.V., Abramov A.V., Bogolubov A.S., Skvortsov V.S., Merdanov M.K. // Proc. of the 38th Eur. Microwave Conf. Amsterdam, Netherlands, 2008. P. 484--487 Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Скворцов В.С., Мерданов М.К. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2009. N 1. С. 73--80 Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Скворцов В.С., Мерданов М.К. Патент РФ на изобретение 2360336 C1 МПК H01P 7/00. Широкополосная волноводная согласованная нагрузка. Опубл. 27.06.2009. Бюл. N 18 Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мещанов В.П., Попова Н.Ф., Пономарев Д.В. Патент РФ на изобретение 2601612 C1 МПК H01P 1/26. Волноводная согласованная нагрузка. Заявка: 2015120704/28 2012137649/07 от 01.06.2015. Опубл. 10.11.2016. Бюл. N 31 Усанов Д.А., Мещанов В.П., Скрипаль А.В., Попова Н.Ф., Пономарев Д.В., Мерданов М.К. // ЖТФ. 2017. Т. 87. В. 2. С. 216--220 Братман В.Л., Литвак А.Г., Суворов Е.В. // УФН. 2011. Т. 181. N 8. С. 867--874 Zhu Z., Zhang X., Gu J., Singh R., Tian Z., Han J., Zhang W. // IEEE Transact. Terahertz Sci. Technol. 2013. V. 3. N 6. P. 832--837 Nagatsuma T., Ducournau G., Renaud C.C. // Nature Photon. 2016. V. 10. P. 371--379 Андреев В.Г., Ангелуц А.А., Вдовин В.А., Лукичев В.Ф. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 4. С. 52--60 Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 5. С. 112--117 Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Горлицкий В.О. // ЖТФ. 2016. Т. 86. В. 2. С. 65--70 http://npp-elmika.ru/info/index.php?id=151 Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
journals.ioffe.ru
