Журнал "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника". Электронная техника журнал

Журнал Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника (@elektronnaya-tehnika)

Статьи журнала

Очистка текстильных материалов с помощью СВЧ-энергии

Королев А.Н., Абакумова Н.В., Мицук Е.В., Мальцев В.А., Морозов В.С., Самсонова И.В., Сафонова Е.О.

Краткое сообщение

Проведено описание способа очистки текстильных материалов и изделий из них с помощью СВЧ-энергии. Преимуществом данного способа является существенное снижение количества используемых очищающих средств и энергозатрат на очистку.

Бесплатно

Способ извлечения ртути из ртутных ламп

Королев А.Н., Абакумова Н.В., Зуева О.С., Мальцев В.А., Морозов В.С., Самсонова И.В., Сафонова Е.О.

Краткое сообщение

Предлагается новый способ извлечения ртути из приборов, отслуживших свой срок. Суть способа заключается в том, что лампу охлаждают в жидком азоте до кристаллизации паров ртути, затем ее разгерметизируют и собирают кристаллы ртути в специальную емкость.

Бесплатно

Рентгенографический комплекс «Полискан-3» для контроля содержимого морских контейнеров и большегрузных автомобилей

Белугин В.М., Ветров В.В., Елян В.В., Мищенко А.В., Пироженко В.М., Розанов Н.Е., Ситников В.М., Сычв Б.С., Королв А.Н., Симонов К.Г., Кокоровец Ю.Я., Свищ В.М., Шумейко Н.А., Яценко С.Я., Рыжиков В.Д.

Статья научная

Рентгенографический комплекс «Полискан-3» предназначен для бесконтактного рентгенографического контроля содержимого морских контейнеров и большегрузных автомобилей. Для повышения информативности контроля содержимого инспектируемого объекта просвечивание осуществляется в двух проекциях. Инспекционный комплекс содержит две ускорительные установки, каждая из которых имеет источник рентгеновского излучения с локальной биозащитой, две детекторные системы для обработки результатов просвечивания и представления их в виде теневого изображения инспектируемого объекта на экранах видеомониторов, а также систему транспортировки инспектируемого объекта в зоне просвечивания и систему контроля и управления работой оборудования комплекса. Источник рентгеновского излучения включает в себя линейный ускоритель электронов на энергию 7,3 МэВ, конверсионную мишень для преобразования мощности электронного пучка в мощность рентгеновского излучения, локальную защиту от облучения и средства выравнивания дозы облучения. В качестве ускоряющей системы в ускорителе электронов применяется бипериодическая ускоряющая структура на стоячей волне, которая запитывается от магнетронного генератора с рабочей частотой 2,8 ГГц. Ускоритель генерирует интенсивный пучок электронов без использования внешнего фокусирующего магнитного поля. Эта характерная особенность дает возможность применить локальную защиту ускоряющей системы из ферромагнитных материалов для обеспечения радиационной безопасности обслуживающего персонала и охраны окружающей среды. Корпус биозащиты, изготовленный из чугуна, обеспечивает снижение мощности дозы неиспользуемого рентгеновского излучения до уровня, гарантирующего безопасность персонала. Оборудование комплекса реализует высокую чувствительность детектирования и высокую проникающую способность рентгеновского излучения.

Бесплатно

Транзисторный импульсный усилитель с выходной мощностью 9...11 Вт в диапазоне частот 15,9...16,4 ГГц

Бабинцев Д.В., Королв А.Н., Красник В.А., Климова А.В., Лапин В.Г., Малыщик В.М., Манченко Л.В., Пчелин В.А., Трегубов В.Б., Язан В.Ю.

Статья научная

Разработан транзисторный импульсный усилитель с выходной мощностью 9...11 Вт в диапазоне частот 15,9...16,4 ГГц и коэффициентом усиления 36...38 дБ для РЛС разведки наземных движущихся целей. Описаны принципы проектирования, конструкция и электрические параметры усилителя.

Бесплатно

Монолитный двухпозиционный переключатель для диапазона частот 0.5..18 ГГц, согласованный по всем каналам

Богданов Ю.М., Лапин В.Г., Темнов А.М., Щербаков Ф.Е.

Статья научная

Предложена схема двухканального переключателя, содержащего в каждом канале по два последовательно и три параллельно включенных ПТШ. Малые КСВН достигаются за счет включения в истоки оконечных ПТШ резисторов с сопротивлениями, близкими к 50 Ом. Показано, что в полосе частот 0,5...18 ГГц прямые потери не превышают 2 дБ, затухание превосходит 100 дБ, а КСВН не превышает 1,3. Разработана топология монолитного переключателя.

Бесплатно

readera.ru

Журнал "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Обращение главного редактора

Уважаемые читатели!

Рад сообщить вам, что начиная с 2014 года, мы возобновили выпуск научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника». Теперь журнал выпускается в полноцветном варианте, что облегчает восприятие наглядного материала. Издательство журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» воссоздано решением Редакционного совета акционерного общества «Научно-исследовательского института молекулярной электроники». Как и в предыдущие годы, журнал комплексно освещает современные достижения и проблемы микро- и наноэлектроники во всех сферах научной и производственной деятельности от технологии до экономики.

Миссия журнала состоит в оперативной публикации научных статей о новых, ранее не опубликованных значимых результатах научных исследований, а также фундаментальных и прикладных результатах их применения, наиболее полное отражение научно-исследовательской деятельности во всемирном научном информационном пространстве и популяризации науки в целом.

Также следует отметить, что в начале 2017 года журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» вошёл в перечень ведущих рецензируемых научных журналов, включённых Высшей аттестационной комиссией России в список изданий, рекомендуемых для опубликования основных научных результатов диссертаций на соискание учёной степени кандидата и доктора наук, а это является своего рода гарантом качества научных статей, их актуальности и новизны.

Журнал открыт как для отечественных, так и для зарубежных авторов. Приглашаем учёных и специалистов, а также аспирантов и молодых сотрудников, специализирующихся в областях науки и производства, связанных с микроэлектроникой и наноэлектроникой, к сотрудничеству с журналом.

От имени редакции я благодарю всех Вас – наших авторов и читателей, партнеров и друзей за интерес к изданию, поддержку и сотрудничество. Желаю нам всем продуктивности и много хороших статей, а это невозможно без наших общих усилий.

С уважением, главный редактор журнала, доктор технических наук, академик РАН

Г.Я. Красников

О журнале

Научно-технический журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» зарегистрирован Федеральной службой по надзору в сфере связи и массовых коммуникаций в качестве средства массовой информации от 14.08.2013 года, регистрационное свидетельство: ПИ №ФС77-55092.

Журнал зарегистрирован в системе ISSN Международным центром ISSN в Париже под номером 2410-9932.

Журнал включен в базу данных Российского индекса научного цитирования (РИНЦ).

Журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» издается на русском языке. Периодичность издания – ежеквартальная. Тираж – 500 экземпляров. На страницах журнала размещаются только авторские научные публикации.

Распространяется по подписке на территории Российской Федерации (Каталог Агентства «РОСПЕЧАТЬ», индекс 80408).

Журнал является рецензируемым изданием и рассчитан на широкий круг научной общественности (научные сотрудники, преподаватели, докторанты, аспиранты и соискатели, студенты) в России и СНГ, а также практических работников государственных учреждений и предпринимательских структур. Он придаёт большое значение подготовке квалифицированных кадров для нашей науки и промышленности.

Учитывая сложившийся авторитет журнала, работу в нём высококвалифицированных специалистов Всероссийская аттестационная комиссия (ВАК) включила журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» в число изданий, рекомендованных для публикации статей соискателей учёных степеней кандидата и доктора наук №1969 от 29.05.2017 г.

Публикуемые в журнале статьи содержат результаты фундаментальных научных исследований в следующих отраслях:

- физико-математические науки (01.00.00) - химические науки (02.00.00) - технические науки (05.00.00)

Также публикации журнала информируют о новейших достижениях в разработке изделий и технологий специалистами в следующих группах:

01.04.00 Физика

05.11.00 Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы

05.13.00 Информатика, вычислительная техника и управление

05.27.00 Электроника

02.00.00 Химические науки

В качестве дополнительной информации в журнале печатаются тематические обзоры, обобщающие отечественный и зарубежный опыт, краткие сообщения о значимых научных мероприятиях АО «НИИМЭ», а также наиболее интересные с научной и практической точек зрения работы молодых ученых и специалистов.

Со всеми номерами журнала вы можете познакомиться, оформив подписку непосредственно в редакции журнала. Архив журнала доступен в Научной Электронной Библиотеке (НЭБ) - головном исполнителе проекта по созданию Российского индекса научного цитирования (РИНЦ), путем покупки прав пользования электронной версией журнала.

Правовая информация         Все используемые и размещенные на Сайте результаты интеллектуальной деятельности, а также сам Сайт являются интеллектуальной собственностью их законных правообладателей и охраняются законодательством об интеллектуальной собственности России, а также соответствующими международными правовыми конвенциями.

www.niime.ru

Научно-технический журнал «Электронная техника. Серия Полупроводниковые приборы»

Научно-технический журнал «Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы»

Очередной выпуск [1 (224) 2010 г.] журнала подготовлен в соответствии с принятыми по решению Президиума ВАК Минобрнауки РФ новыми критериями к научным периодическим журналам и изданиям для включения в Перечень и ежегодной перерегистрации,а также техническими требованиями РИНЦ.

На сайте предприятия-издателя в свободном доступе размещена информация об опубликованных статьях (авторы, название статьи, аннотация, ключевые слова, сведения об авторах на русском и английском языках, а также библиографические ссылки). Электронная версия журнала доступна только подписчикам.

Официальный сайт ФГУП «НПП «Пульсар»

Приглашаем Вас к сотрудничеству, просим высылать статьи, а также рекламный материал и сообщения для публикации по тематике сборника.

Главный редактор д. ф.-м. н., профессор Васильев Андрей Георгиевич, генеральный директор ФГУП «НПП «Пульсар»

Тел.: (495) 366-51-01 E-mail: pulsar@ Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript

Зам. главного редактора д. т. н. Колковский Юрий Владимирович, зам. генерального директора ФГУП «НПП «Пульсар»

Тел.: (499) 369-05-33 E-mail: pulsar@ Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript

Зам. главного редактора д. т. н., профессор Синкевич Владимир Фёдорович, зам. генерального директора ФГУП «НПП «Пульсар»

Тел.: (495) 365-06-80 E-mail: pulsar@ Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript

Ответственный секретарь редколлегии Комарова Тамара Петровна

Телефон редакции: (499) 369-28-21 E-mail: redlab@ Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript

Адрес: 105187, Москва, Окружной проезд, д. 27

На сайте размещены:

Информация о статьях, опубликованных в выпуске 1 (224) 2010.

Правила оформления статей для журнала

Состав редакционной коллегии научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы»

Краткая информация о статьях,

опубликованных в выпуске 1 (224) 2010 года журнала

“Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы”

Миннебаев В. М., Герасимов А. О., Мочалов М. Н.

Корректировка амплитудно-частотной характеристики малошумящего усилителя

S-диапазона в условиях серийного производства

Представлены результаты корректировки топологии и конструкции усилителя S-диапазона с учётом требований, предъявляемых к АЧХ приёмного тракта, на основе выявленных в результате эксплуатации усилителя недостатков. Проведён анализ топологии малошумящего усилителя и произведена её оптимизация, а также улучшена АЧХ ППФ в составе усилителя.

Сергеев В. А., Ходаков А. М.

Тепловая модель биполярной транзисторной структуры с неоднородностью в области контакта кристалла с теплоотводом

Рассмотрена тепловая модель осесимметричной биполярной транзисторной структуры с неоднородностью теплофизического типа в области контакта кристалл-теплоотвод и температурозависимой плотностью тока. Найдены неоднородные распределения плотности теплового потока и температуры по активной области структуры в зависимости от модельных параметров, характеризующих размер дефекта Ks и его теплофизические свойства Kd. Показано, что показатель неоднородности температуры нелинейно зависит от параметра Ks. Для различных значений величин модельных параметров полупроводниковой структуры произведена оценка отношения максимальных температур активной области кристалла с дефектом и без него. Определены величины термомеханических напряжений, возникающих в области дефекта. Рассчитаны распределения температуры по поверхности транзисторной структуры при изменении напряжения коллектор-база и тока коллектора.

Белкин М. Е., Лопарёв А. В.

Компьютерное проектирование монолитной интегральной схемы сверхвысокочастотного генератора на гетероструктурных полевых транзисторах

Рассматриваются особенности построения МИС перестраиваемых генераторов СВЧ диапазона на основе гетероструктурных полевых транзисторов (НЕМТ), способы и схемы перестройки их частоты. Анализируются по критерию применимости в качестве гетеродина для смесителя с субгармонической накачкой узла понижающего преобразователя частоты интегрального тюнера КВЧ диапазона две схемы их построения: однотактная на транзисторе с общим затвором и балансная на транзисторах с общим истоком. Приводятся методика и результаты проектирования принципиальной схемы и топологии монолитной интегральной схемы Кu-диапазона (12-18 ГГц) с помощью САПР AWR Microwave Office.

Аврасин Э. Т., Вологдин Э. Н., Гантман И. Я., Сидоров Д. В., Смирнов Д. С.

Исследование пространственного распределения концентрации основных носителей в кремнии, облучённом α-частицами радионуклидных источников

Получено пространственное распределение концентрации основных носителей в кремнии, облучённом α-частицами радионуклидных источников (РИ). Установлено, что неколлимированное α-облучение кремния после отжига обеспечивает в активных областях п/п приборов аналогичное распределение радиационных дефектов, как и электронное облучение ускорителей заряженных частиц. Показано, что при имитации нейтронного облучения с помощью α-излучения РИ для равномерного образования дефектов по глубине необходимо иметь воздушный зазор между РИ и облучаемым объектом. радионуклидный источник, α-облучение, полупроводниковый прибор, радиационные дефекты, радиационно-технологические процессы

Елесин В. В., Назарова Г. Н.

Оптимизация параметров СВЧ переключателей для монолитных фазовращателей и аттенюаторов

Представлена методика оптимизации малосигнальных параметров переключателей на МОП транзисторах, являющихся базовым блоком для построения монолитных фазовращателей и аттенюаторов СВЧ диапазона. Проведён анализ влияния на характеристики СВЧ переключателей паразитных индуктивностей, вносимых при корпусировании кристалла.

Васильев В. Ю.

Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов

Проанализирована совокупность различных аспектов применения методов химического осаждения тонкослойных неорганических кремнийсодержащих материалов (поликристаллический кремний, нитрид кремния, диоксид кремния и силикатные стёкла) из газовой фазы (ХОГФ) для изготовления интегральных микросхем (ИМС) с алюминиевой системой коммутации и технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Работа состоит из 5 частей. Рассмотрены основные тенденции развития и проблематика методов ХОГФ применительно к технологии ИМС. Проанализированы местоположение тонкослойных материалов в ИМС с многоуровневой системой коммутации и требования к методам их получения, основные тенденции развития промышленных методов ХОГФ. К основным проблемам ХОГФ отнесены: поиск оптимальных реагентов и конструкции аппаратуры, снижение дефектности осаждённых материалов, рост на рельефных поверхностях и заполнение узких зазоров в ИМС, контроль качества и оптимизация процессов ХОГФ и свойств слоёв.

Тришенков М. А., Таубкин И. И., Филачёв А. М.

Твердотельная фотоэлектроника: сегодня и завтра. Часть третья

Рассматривается современное состояние разработок квантовых и тепловых ИК-фотоприёмников на диапазон 2-14 мкм. Кратко перечислены одно- и малоканальные фоторезисторы, фотодиоды и фотоприёмные устройства на основе PbS, PbSe, InSb, четверных соединений, выпускаемых для экологического мониторинга, ИК-анализаторов, радиометров, головок самонаведения. Основные достижения в диапазоне 2-14 мкм связаны с разработкой и выпуском фокальных ИК-матриц. Приведены сведения о таких матрицах как смотрящего, так и сканирующего типа на основе GdHgTe, InSb, квантоворазмерных структур, примесных полупроводников и болометрических материалов. Достигнут впечатляющий уровень параметров матриц (формат до 1024х1024, 2048х2048, эквивалентная шуму разность температур 5-50 К, размер пиксела 12-50 мкм). Такие матрицы позволяют решать сложные задачи тепловидения и теплопеленгации.

Ткачёв А. Ю., Петров Б. К., Асессоров В. В., Кожевников В. А., Дикарев В. И., Цоцорин А. Н.

Моделирование Super Junction LDMOS транзисторных структур

Получены аналитические выражения для расчёта пробивного напряжения сток-исток Super Junction LDMOS транзисторных структур на КНС. Выведен критерий выбора конструктивных параметров дрейфовой области стока. Представлены результаты численного моделирования электрических характеристик SJ-LDMOS транзисторных структур. Результаты расчёта с использованием полученных аналитических выражений дают хорошее качественное и количественное совпадение с результатами численного моделирования на базе ISE TCAD.

Вальд-Перлов В. М., Вейц В. В., Иващенко Н. Г.

Мощный быстродействующий ограничительный диод для защиты приёмных каналов ППМ АФАР

Представлены результаты расчёта, изготовления и измерения параметров быстродействующего ограничительного диода на арсениде галлия для защиты приёмных каналов ППМАФАР от функционального поражения источниками несинхронных сигналов в S-диапазоне. Применение групповой технологии «интегрального теплоотвода» существенно снизило тепловое сопротивление диодов и соответственно увеличило рассеиваемую мощность. Получены образцы диодов, у которых при входной мощности более 80 Вт температура р-n перехода превышает температуру держателя диода на 70 К, что гарантирует высокую надёжность работы диодов.

Шубин В. В.

Новая методика сравнения быстродействия параллельных сумматоров с последовательным переносом

Предложена новая методика сравнения сумматоров с последовательным переносом по быстродействию с использованием введённого критерия «Разрядность Равных Задержек». Показано, что абстрактное определение задержек распространения сигналов сравниваемых конструктивных решений одноразрядных сумматоров, на котором основываются существующие методики, не даёт ясного ответа на вопрос о их поведении в составе N-разрядных устройств. В то же время сравнение нескольких законченных N-разрядных сумматоров по полному циклу моделирования отнимает много времени даже при использовании самых современных программных продуктов. Предложенная методика позволяет быстро и достоверно сравнить различные конструкции ячеек одноразрядных сумматоров по быстродействию для конкретного применения в составе разрабатываемых устройств.

Белкин М. Е., Белкин Л. М.

Особенности построения резистивных смесителей диапазона крайне высоких частот

Рассматриваются общие принципы построения резистивных смесителей КВЧ диапазона в монолитном исполнении на основе гетероструктурных полевых транзисторов. Анализируются особенности наиболее перспективной схемы смесителя с субгармонической накачкой, в которой для смешения входного и гетеродинного сигналов используется частота в чётное число раз выше частоты сигнала внешнего гетеродина. В результате прямого сравнения на базе компьютерного проектирования диодного и транзисторного вариантов построения получивших наибольшее развитие в последние годы смесителей на двукратной частоте гетеродина подтверждены данные публикаций относительно их потерь преобразования и получены новые данные о сравнительно лучшей линейности и уровней развязок входов и выхода транзисторного варианта. Даны рекомендации по оптимальному применению исследованных вариантов.

Сысоев П. А., Болдырев М. А., Лопаткин К. С.

Метод оценки реализуемости технических требований к оптико-электронным системам ночного видения на основе электронно-оптических преобразователей пятого поколения

Рассмотрен метод оценки реализуемости технических требований к оптико-электронным системам ночного видения на основе электронно-оптических преобразователей пятого поколения. В основу метода положена математическая модель функционирования оптико-электронных систем ночного видения на основе электронно-оптических преобразователей пятого поколения. Метод позволяет сократить материальные и временные затраты на выборе технических решений при проектировании оптико-электронных систем ночного видения.

Завьялов И. А.

Оптимизация производительности САПР при помощи виртуализации

Рассмотрены различные методы аппаратной виртуализации. Исследованы методы оптимизации производительности некоторых САПР, а также повышения удобства работы с ними при помощи виртуализации.

Жукова Н. С., Крымко М. М., Ледовских А. П., Максимов А. Н., Сопов О. В.

Анализ способов снижения времени восстановления обратного сопротивления мощных быстродействующих диодов

Сформулированы требования к основным значениям параметров современных мощных быстродействующих диодов – времени восстановления обратного сопротивления и прямого падения напряжения. Предложены и проанализированы различные способы достижения требуемых параметров. Получены опытные образцы диодов со значениями времени обратного восстановления 25-30 нс и прямым падениям напряжения 1,1 В.

Масальский Н. B.

Низковольтные характеристики логических элементов на полностью обеднённых КНИ КМОП нанотранзисторах в подпороговой области

Проанализирован один из возможных подходов разработки маломощной электроники, при котором транзисторы, входящие в состав цифровой схемы, работают в подпороговом режиме. Предложенная методика рассматривается применительно к полностью обеднённым КМОП КНИ нанотранзисторам. Теоретически показана возможность управления задержкой логических схем при помощи изменения напряжения на обратном затворе транзисторов. При помощи программы HSPICE численно исследованы статические и динамические характеристики вентилей инвертор, 2И-НЕ, 2ИЛИ-НЕ и полного однобитного сумматора.

refdb.ru

Смотрите также

• 
  Журнал педиатрия сперанского
• 
  Логопедический журнал посещаемости
• 
  Журнал сторожей образец
• 
  Журнал для хозяек
• 
  Журнал учитель башкортостана
• 
  Детский психолог журнал
• 
  Журнал времена года
• 
  Журнал деревянный дом
• 
  Деревянный дом журнал
• 
  Журнал новое образование
• 
  Журнал инструктажа обучающихся