ЗУБКОВ В.И., КУЧЕРОВА О.В., СОЛОМОНОВ А.В., ЯКОВЛЕВ И.Н. — 2015 г.

Разработана автоматизированная система для комплексных электрофизических и оптических исследований полупроводниковых наногетероструктур, работающая в широком температурном интервале от 15 до 475 K. Установка позволяет измерять температурные и частотные спектры адмиттанса и спектры электролюминесценции светодиодных и лазерных чипов, сформированных на подложках диаметром до 50.2 мм, а также распределение параметров по пластине. В состав установки входит гелиевая криогенная станция замкнутого цикла, LCR-метр и контроллер температуры. Представлены результаты характеризации наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN, применяющихся для создания высокоэффективных белых и синих светодиодов.

ЛАРИОНОВ А.В. — 2015 г.

Адаптивный эквалайзер представленный в данной статье, разработан как составная часть высокоскоростного последовательного передатчика используемого в каналах с большим коэффициентом затухания сигнала. Контроллер, интегрированный в данный эквалайзер, регулирует дифференциальное напряжение выходного сигнала от текущей глубины коррекции межсимвольной интерференции, удерживая неизменным заданное минимально допустимое дифференциальное напряжение выходного сигнала, что позволяет оптимизировать потребляемую мощность выходного буфера. Также для данного эквалайзера разработана новая принципиальная схема псевдо-дифференциального каскодного выходного буфера с детерминированным джиттером DJ = 1.572 пс, пиковым выходным дифференциальным напряжением VDIFFPPMAX = 1.9 В и дифференциальными потерями на отражение SDD22 = –8 дБ на частоте F = 8.33 ГГц. Эквалайзер реализован по технологии КМОП 65 нм, обеспечивая передачу данных со скоростью 10 Гб/c.

ГЕРАСИМЧУК О.А., ЕПИФАНЦЕВ К.А., СКОРОБОГАТОВ П.К. — 2015 г.

Приведены результаты экспериментальных исследований образцов КМОП-микросхем CD4001BCN_NL на импульсную электрическую прочность (ИЭП) при двух значениях температуры окружающей среды +25 и +125°C. Анализ полученных результатов показал, что температура среды влияет на значения показателей импульсной электрической прочности исследуемой микросхемы. Величина и характер изменения ИЭП может быть описаны моделью теплового повреждения p–n-перехода.

ИМАМЕТДИНОВ Э.Ф., КРАСНЮК А.А., МАРЬИНА Е.В., ОРЛОВ О.М. — 2015 г.

Метод периодически легированного канала первоначально рассматривался как приложение для транзисторных структур на органических полупроводниках. Однако возможности модуляции проводимости канала в КМОП-транзисторах также представляют значительный интерес и для высокотемпературной микроэлектроники. Для получения высокой проводимости нанообластей, обеспечивающих уменьшение общей эффективной длины канала за счет геометрического фактора a, необходимо иметь высокую концентрацию примеси в них. При этом боковой уход примеси может привести к смыканию легированных нанообластей и ухудшению подпороговых характеристик транзистора. С этой целью в качестве легирующей примеси (канала N МОП-транзистора) целесообразно использовать мышьяк с последующей его активацией быстрым термическим отжигом (RTA). Реализованная приборно-технологическая модель PDCFET на основе программ технологического моделирования позволяет решать вопросы технологической реализации и характеризации для транзисторов, изготавливаемых по нормам 0.18–0.5 мкм формированием подзатворных областей на основе наномасок для высокотемпературных приложений.

Предпринята попытка использовать циклический плазмохимический процесс с чередованием стадий (шагов) травления и пассивации для формирования тренчей в кремнии шириной в несколько десятков нанометров. К особенностям разработанной технологии относятся малая продолжительность стадий (около 1 с), при этом, время травления кремния на каждом шаге составляет доли секунды, так как значительная часть времени этой стадии расходуется на удаление пассивирующего слоя с дна канавки. Экспериментально показано, что одним из важнейших параметров, влияющих на форму профиля, является продолжительность паузы между шагами. Для повышения селективности процесса травления по отношению к маске используются низкие значения ВЧ-смещения на шаге травления (10–20 Вт) и достаточно высокие рабочие давления (более 7 Па). Экспериментально продемонстрирована возможность изготовления тренчей с подтравом под маску порядка 2–3 нм, сравнимой по величине шероховатостью стенок, при высокой селективности процесса травления по отношению к маскирующему покрытию. Изготовленные канавки имели ширину 30–50 нм, аспектное отношение более 30 и наклон стенки 89°–90°.

АЛА-НИССИЛА Т., ГРАНАТО Э., ИНГ С.-Ч., КУПРИЯНОВ А.Н., ТРУШИН О.С. — 2015 г.

Методом молекулярной статики, с использованием многочастичных потенциалов “погруженного атома” EAM, исследованы механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальной системе Cu/Ni(001). Рассмотрены процессы зарождения дефектов V-образной формы (в виде треугольного клина), возникающих в тонких пленках меди толщиной до 20 монослоев на подложках Ni(001). Проведена оценка активационных барьеров для зарождения этих дефектов и величины критической толщины пленки.

СТЕНИН В.Я., СТЕПАНОВ П.В. — 2015 г.

КМОП-ячейка памяти DICE состоит из двух групп транзисторов, топологическое разнесение которых на кристалле повышает устойчивость ячейки к воздействиям одиночных ядерных частиц. Сбой состояния ячейки не происходит, если воздействие частицы оказывается на транзисторы только одной группы. Проведены проектирование и анализ параметров топологических вариантов базовых элементов памяти с разным взаимным расположением двух групп транзисторов КМОП 28 нм ячеек DICE. Предложены варианты топологий ячеек с расстояниями между чувствительными парами транзисторов двух групп 1, 2 и 3 мкм и набор базовых элементов памяти для проектирования блоков накопителей статических ОЗУ с повышенной устойчивостью к сбоям состояния из-за разделения заряда с трека частицы между группами транзисторов ячейки. Площадь ячеек памяти DICE в 2.1–2.5 раза больше, чем 6-транзисторных ячеек на транзисторах с теми же размерами.

НОВИКОВ Ю.А. — 2015 г.

Приведены примеры применения виртуального растрового электронного микроскопа, выполненного на основе симулятора, для аттестации размеров тест-объектов на низковольтном РЭМ и калибровки высоковольтного РЭМ, работающего в режиме регистрации вторичных медленных электронов. Демонстрируется использование виртуального РЭМ для решения задачи сравнения разных методов калибровки РЭМ, выполнение которой возможно только с помощью виртуального РЭМ.

НОВИКОВ Ю.А. — 2015 г.

Рассмотрено влияние наклона тест-объекта с трапециевидным профилем и большими углами наклона боковых стенок на калибровку растрового электронного микроскопа. Показано, что при использовании в качестве аттестованного параметра шага структуры или размеров верхних и нижних оснований выступов и канавок наклон тест-объекта не оказывает влияния на калибровку РЭМ. При использовании величины проекции боковой наклонной стенки выступов и канавок на основание структуры наклон тест-объекта приводит к появлению систематической погрешности определения увеличения (размера пикселя) в несколько раз большей случайной погрешности. Разработан метод определения угла наклона тест-объекта, который позволяет измерить этот угол, определить и устранить систематическую погрешность.

АХМЕТОВ А.О., БОЙЧЕНКО Д.В., БОРИСОВ А.Я., КЕССАРИНСКИЙ Л.Н. — 2015 г.

Проведен анализ влияния электрического режима работы гибридных импульсных стабилизаторов напряжения на количество одиночных сбоев и, как следствие, на показатели стойкости. Проведено экспериментальное подтверждение ранее прогнозированной зависимости характеристики одиночных эффектов в гибридных стабилизаторах от электрического режима в целом и от работы обратной связи в частности. Определены рекомендации для проведения сертификационных испытаний стойкости гибридных стабилизаторов напряжения к одиночным эффектам.

ЕГОРОВ А.Н., НИКИФОРОВ А.Ю., СКОРОБОГАТОВ П.К. — 2015 г.

Обоснован метод повышения эффективности использования энергии лазерного излучения (ЛИ) для создания высоких уровней эквивалентной мощности дозы, основанный на уменьшении длины волны излучения. Показано, что оптимальный диапазон энергий ЛИ для моделирования объемных ионизационных эффектов в КМОП-микросхемах, выполненных по технологии “кремний-на-изоляторе” (КНИ) и “кремний-на-сапфире” (КНС) в общем случае зависит от технологических особенностей изготовления и лежит в пределах от 0.9 до 0.75 мкм.

ЕГОРКИН А.В., КАЛИНИН С.В. — 2015 г.

Проведен анализ двумерных моделей термического окисления кремния, в том числе реализованных в приложении SProcess программной среды TCAD SenTaurus. Для демонстрационных численных экспериментов использовался ряд практически важных тестовых структур, позволяющих показать особенности моделирования. В процессе анализа и численного моделирования описана и выявлена наиболее корректная модель, достаточно точно описывающая различные “тонкие” эффекты, возникающие при термическом окислении непланарных кремниевых поверхностей, которая наиболее адекватна экспериментальным данным. Показано, что для обеспечения этой адекватности в процессе моделирования необходимо учитывать влияние ряда нелинейных механических эффектов. Проведена калибровка модели для обеспечения достоверных результатов и повышения точности моделирования.

Предложены методы оценок взаимосвязи вероятностных и порядковых моделей для моделирования функциональных отказов БИС, которые основаны на модели нечеткого цифрового автомата Брауэра и вероятностного надежностного автомата. В первом случае поведение БИС определяется изменением статических и динамических параметров, во втором – статистическим разбросом пороговых уровней отказа.

БАНТЫШ Б.И., БОГДАНОВ Ю.И., ЛУКИЧЕВ В.Ф., ОРЛИКОВСКИЙ А.А., ЧЕРНЯВСКИЙ А.Ю. — 2015 г.

В рамках формализма квантовых операций рассмотрено влияние амплитудной и фазовой релаксации на эволюцию квантовых состояний. Изучена модель поляризационного кубита, шумы которого определяются наличием спектральной степени свободы, проявляющей себя в процессе распространения света внутри анизотропной среды с дисперсией. Предложена приближенная аналитическая модель для расчета действия фазовой пластины на поляризационное состояние с учетом дисперсии света.

C помощью приборно-технологического моделирования исследована чувствительность латерального магнитотранзистора с ортогональными потоками носителей заряда. Сравнение результатов моделирования при параллельном расположении потоков дало возможность установить изменение знака чувствительности в магнитотранзисторе с базой в виде диффузионного кармана. Экспериментально установлено, что в планарном магнитотранзистореначальныйразбаланс напряжения коллекторов зависит от топологии электродов эмиттера, коллекторов и сильнолегированного контакта к базе. Исследованные варианты топологии латеральных и планарных магнитотранзисторов дают возможность создания малого начального разбаланса напряжения измерительных коллекторов и повышения чувствительности.

КАТЕЕВ И.Ю., ЦУКАНОВ А.В. — 2015 г.

Третья часть обзора, посвященного изучению гибридных полупроводниковых наноструктур, касается вопросов их использования в качестве элементной базы для полномасштабного твердотельного квантового компьютера. Рассматриваются основные варианты реализации квантовых вычислительных устройств, использующие экситонные и спиновые степени свободы КТ, а также фотоны, распространяющиеся по квантовой сети с КТ. Наряду с теоретическими схемами приводятся результаты экспериментов, иллюстрирующие работу созданных к настоящему времени прототипов таких устройств.

АНИЩЕНКО Е.В., АРЫКОВ B.C., ЕРОФЕЕВ Е.В., ИШУТКИН С.В., КАГАДЕЙ В.А. — 2015 г.

Представлены конструктивно-технологические решения по формированию GaAs СВЧ монолитной интегральной схемы (МИС) с металлизацией лицевой стороны на основе меди. В качестве металлизации омических и затворных контактов транзисторов с высокой подвижностью электронов использовались многослойные композиции Pd/Ge/Al/Mo и Ti/Al/Mo соответственно. Металлизация первого уровня была выполнена на W/Cu/WNx. Металлизация второго уровня формировалась методом электрохимического осаждения меди, в качестве подслоя для осаждения была использована пленка Ti/Cu. Пленки SixNy использовались для формирования межуровневого диэлектрика и диэлектрика конденсаторов. Для защиты пленок меди от воздействия внешней среды лицевая сторона МИС покрывалась пленкой бензоциклобутена (ВСВ) толщиной 5 мкм. Металлизация обратной стороны была выполнена пленкой Ni/Au общей толщиной 3 мкм. Разработанные конструктивно-технологические решения были апробированы на примере монолитной интегральной схемы малошумящего усилителя, выполненного на основе транзисторов с высокой подвижностью электронов, с длиной затвора 250 нм. Изготовленная СВЧ МИС в диапазоне частот 8–10 ГГц имела коэффициент усиления 28 ± 1 дБ, коэффициент шума не превышал 2 дБ.

ОСИПОВ Д.Л. — 2015 г.

Представлен предварительный усилитель для компараторов прецизионных аналого-цифровых преобразователей с низким уровнем энергопотребления. С целью снижения среднего тока потребления каскадов усилителя, в качестве динамической нагрузки в них использованы конденсаторы, которые выполняют функцию источников тока при зарядке на этапе сравнения. Разработана схема коррекции погрешности смещения нуля для усилителей такого типа. Моделирование устройства с использованием КМОП-элементов с проектной нормой 0.35 мкм из библиотеки ХА035 фабрики XFAB показало, что среднее потребление тока при рабочей частоте 1 МГц составляет около 7 мкА.

ДВОРЯНКИН В.Ф., ДВОРЯНКИНА Г.Г., ДИКАЕВ Ю.М., КУДРЯШОВ А.А., ПЕТРОВ А.Г., ТЕЛЕГИН А.А. — 2015 г.

Описана конструкция линейного детектора рентгеновского излучения на основе монокристаллов Cd0.9Zn0.1Te. Приведены результаты использования.

ЦУКАНОВ А.В. — 2015 г.

Рассматриваются вопросы, связанные с изучением спектральных характеристик протяженных фотонных молекул – так называемых фотонных изомеров – с помощью различных квантовомеханических подходов. В первой части излагается теория взаимодействия фотонных молекул, содержащих NV-центры, с пробным лазерным импульсом. На примере двухатомной ФМ с двумя центрами проведена классификация электрон-фотонного спектра в зависимости от параметров системы.

ЖУКОВ В.А. — 2014 г.

Предложена модель активной регистрирующей и восстанавливающей сигнал (двумерный массив чисел) распределенной вычислительной среды. Эта среда представляет собой 3D интегральную схему, основанную на электронной наноэлементной базе, в которой при ее функционировании используются принципы оптической голографии, но распространяется не световой, а электрический цифровой сигнал. Сформулированы требования к структуре и свойствам этой среды, а также ее элементам и способам их соединения, для последующего более подробного изучения информационной емкости и быстродействия такой вычислительной среды. Предложенная среда, в отличие от голографических оптических дисков, сможет выполнять роль не только внешнего ROM (Read Only Memory), но и быстродействующей флэш-памяти с емкостью порядка 200 ГБ и со скоростью ввода-вывода информации до 106 ГБ/с для рабочего объема 1 см3. Такая среда, в силу присущих ей ассоциативных свойств оптической голографической памяти, помимо функции флэш-памяти могла бы также выполнять некоторые функции оптических голограмм, такие как распознавание образов, но в силу другой элементной базы была бы более надежной и помехоустойчивой.

КАТУНИН Ю.В., СТЕНИН В.Я., СТЕПАНОВ П.В. — 2014 г.

Сбоеустойчивость к воздействию отдельных ядерных частиц КМОП D и RS-триггеров с двухфазной структурой и ячеек памяти на их основе зависит от реакции на сбор заряда несколькими узлами. Для ячеек DICE и Quatro установлена связь пар узлов критических характеристик и особенностями симметрии электрических связей транзисторов триггеров. Определены критические пары узлов с минимальными критическими зарядами и повышенной помехоустойчивостью. Даны рекомендации по взаимному расположению транзисторов в ячейках DICE. Примеры количественной оценки критических зависимостей даны для ячеек с проектной нормой объемный 65 нм КМОП. При кратном воздействии на узлы преимущество имеют ячейки DICE.

КЛИМОВА С.А., ЯФАРОВ Р.К. — 2014 г.

Исследованы закономерности влияния на электронные свойства поверхности кристаллов кремния (100) СВЧ-плазменной микрообработки в условиях слабой адсорбции. Рассмотрены модельные механизмы процессов и факторы, обеспечивающие устойчивую модификацию электронных свойств поверхности кремния за счет формирования встроенных поверхностных потенциалов, определяемых химической активностью используемых рабочих газов и режимами СВЧ-плазменного воздействия. Показана принципиальная возможность активного формирования электронных свойств поверхности полупроводниковых кристаллов с целью расширения их электрофизических и функциональных свойств.

СТЕНИН В.Я. — 2014 г.

Сбоеустойчивость КМОП-инверторов с двухфазной структурой к воздействию отдельных ядерных частиц для инверторов с проектными нормами 65 и 45 нм зависит от емкостной связи их дифференциальных входов (выходов). Для оценки сбоеустойчивости предложена пороговая характеристика, которая связывает пороговые значения критических зарядов с соответствующими пороговыми значениями емкостей дифференциальной связи. При емкостях дифференциальной связи меньше пороговых значений критические заряды двухфазных КМОП-инверторов превышают более чем в 10 раз критические заряды традиционной КМОП-логики. Критические заряды имеют меньшие значения при воздействии импульсов тока с малыми постоянными времени нарастания и спада.

ЧУМАКОВ А.И. — 2014 г.

Представлены результаты расчетного моделирования ионизационной реакции в элементах БИС при попадании отдельной заряженной частицы в его пассивную или активную области. В работе обоснованы условия возникновения многократных одиночных сбоев, которые формируются за счет диффузионных механизмов собирания избыточного заряда. Показано, что максимальная чувствительность БИС к многократным одиночным сбоям имеет место при попадании ядерной частицы в пассивные области, расположенные на равном удалении от места нахождения трека ядерной частицы.

БОРЗДОВ А.В., БОРЗДОВ В.М., ВЬЮРКОВ В.В., ОРЛИКОВСКИЙ А.А., СПЕРАНСКИЙ Д.С. — 2014 г.

С помощью многочастичного метода Монте-Карло с учетом основных особенностей процессов переноса носителей заряда в условиях сильных электрических полей проведено моделирование глубокосубмикронного кремниевого n-канального МОП-транзистора с длиной канала 50 нм. В рамках модели межзонной ударной ионизации Келдыша с мягким порогом в канале моделируемого транзистора рассчитана эффективная пороговая энергия этого процесса.

ГОРДЕЕВА С.В., СОКОЛОВ В.В., ЭМИНОВ П.А. — 2014 г.

Представлена теория дисперсии поверхностных плазменных волн в полупроводниковых нанотрубках. Исследован эффект экранировки кулоновского поля неподвижного точечного заряда намагниченным электронным газом нанотрубки. Проведено сравнение основных свойств плазмы полупроводниковой нанотрубки, трехмерной плазмы и плоской двумерной плазмы. Изучена зависимость критической температуры и термодинамических свойств сверхпроводящего квантового цилиндра от характерных параметров системы.

НОВИКОВ Ю.А. — 2014 г.

Предложен метод измерения плотности распределения электронов в зонде низковольтного растрового электронного микроскопа. Продемонстрировано, что сфокусированный зонд имеет гауссовскую форму. Дефокусированный зонд можно представить в виде нескольких гауссовских зондов разной интенсивности, сдвинутых друг относительно друга.

ВЬЮРКОВ В.В., ХОМЯКОВ А.Н. — 2014 г.

Предложена полуаналитическая модель полевого баллистического нанотранзистора с каналом на основе нанопроволоки или нанотрубки, применимая для описания транзисторов с различными конфигурациями затворов. На основе данной модели произведены расчеты распределения потенциала и концентрации электронов в канале транзистора, построены его вольтамперные характеристики. Выявлены значительные отличия по отношению к расчетам короткоканальных транзисторов на основе локальной модели и хорошее согласие с расчетами, выполненными по строгим моделям.

АРЖАНОВА Н.А., ПРОКАЗНИКОВ А.В., ПРОКАЗНИКОВ М.А. — 2014 г.

Исследуется роль поверхностных процессов в формировании динамики электрохимических реакций кремния со фторсодержащими электролитами в ходе реакций порообразования в кремниевой матрице в технологиях наноструктурирования поверхности и объема. Показано, что закономерности обмена зарядами между средами через поверхность объясняют наблюдающиеся режимы анодирования: стабильные, колебательные и хаотические. Предложенный подход позволяет объяснить режим анодирования, связанный с синхронизованным изменением контуров стенок пор, а также с глобальными колебательными процессами в системе кремний/электролит, что позволяет конструировать трехмерные электронные системы.

БОБРИНЕЦКИЙ И.И., НЕВОЛИН В.К., ЦАРИК К.А., ЧУДИНОВ А.А. — 2014 г.

Метод наноразмерного легирования приповерхностного слоя кремния с помощью фокусированного ионного пучка был исследован программными средствами, использующими математические методы расчета пробега ионов в кристалле. Рассчитаны размеры областей локального легирования и концентрации примесных атомов в зависимости от реальных технологических параметров наноразмерного воздействия ионного пучка галлия. Выявлены теоретические границы технологических параметров легирования с учетом распыления кремния.

ЕЛЕСИН В.В. — 2014 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований и расчетного моделирования радиационных эффектов в СВЧ-монолитных интегральных схемах на основе гетероструктурных полевых транзисторов при воздействии импульсного ионизирующего излучения. Предложена физическая модель, адекватно описывающая эффекты мощности дозы в полевом транзисторе в диапазоне воздействий до 1012 рад/с. На основе физической модели построена электрическая эквивалентная схема, учитывающая доминирующие ионизационные эффекты и предназначенная для использования в САПР. Результаты схемотехнического моделирования ионизационной реакции СВЧ МИС малошумящего усилителя согласуются с экспериментальными данными.

ПОДВИГАЛКИН В.Я., УШАКОВ Н.М. — 2014 г.

Приведены результаты измерения электропроводности и емкости микросборок, разработанных на основе толстых пленок композитных наноматериалов. Показано, что для выбранной линейчатой структуры элементы резисторов и конденсаторов в виде толстых пленок можно использовать в схемотехнике двояко: толстопленочные резисторы могут работать одновременно и как электрические конденсаторы и наоборот. Установлено, что известные классические соотношения для схемотехнических расчетов комбинаций соединений R- и C-цепочек требуют поправок. Оценки значений сопротивлений переходного слоя в резистивно-емкостных микросборках составляют 25–30% от удельного сопротивления резистора.

ЗЕНИН В.В., ПЕТРОВ С.В., СТОЯНОВ А.А., ЧИСТЯКОВ С.Ю. — 2014 г.

Проанализированы способы формирования микросварных соединений, наиболее приемлемых для сборки 3D-изделий с использованием проволочных выводов. Рассмотрены особенности монтажа внутренних соединений на кристалле и корпусе различными методами сварки: термозвуковая (ТЗС), ультразвуковая (УЗС), расщепленным электродом, давлением с косвенным импульсным нагревом (СКИН). Исследовано влияние конструктивно-технологических факторов на качество микросоединений, выполненных УЗС, алюминиевой проволокой с алюминиевой металлизацией на кристалле и с покрытиями корпуса: золото, никель и его сплавы. Приведены сведения о микросоединениях с использованием проволоки и металлизации из меди.

ПОДВИГАЛКИН В.Я. — 2014 г.

Рассматривается процесс формирования новейших структур сред на уровне наноразмеров от диссотиативной рекомбинации наночастицы с молекулярной ионной ламелью до упорядоченной ее стабилизации в матричной среде полимера. Формирование упорядоченной среды толстой пленки совершается при электронно-топологических фазовых переходах, в условиях синхронного воздействия давления 1.32 ? 10-5 Р 2.25 ? 10-5 и теплового поля от 205 до 220°C. Весь процесс совершается в области порога сверхпластичности.

ГАПОНЕНКО С.В., КОВАЛЕВА Т.Б., КОМАРОВ Ф.Ф., МИЛЬЧАНИН О.В., СОЛОВЬЕВ Я.А., СОЛОДУХА В.А., ТУРЦЕВИЧ А.С. — 2014 г.

Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, включающий магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода были изготовлены приборные структуры с высотой барьера Шоттки от 0.69 до 0.71 В. Установлено, что барьерный слой состоит из силицидной фазы Ni1 - xPtxSi с включением в области контакта до 2 ат. % платины. Показано, что определяющее влияние на высоту барьера оказывает количество платины на границе раздела с кремнием. Наибольшее содержание платины на границе раздела обеспечивается при двухстадийной термообработке при температуре первой стадии термообработки от 240 до 300°С. Использование двухстадийной термообработки для процесса силицидообразования в системе “кремний – композитный сплав металов Ni–Pt–V” позволяет получать структурно более совершенный силицидный слой, а также более качественную границу кремний/силицид по сравнению с одностадийной обработкой.

КУДРЯ В.П., МАИШЕВ Ю.П., ШЕВЧУК С.Л. — 2014 г.

Показана возможность создания источника пучков БНЧ на базе источников ионов “Радикал” с различной конфигурацией. Выполненные измерения свидетельствуют, что выходной пучок такого источника на 100% состоит из нейтральных частиц, независимо от энергии частиц и их состава. Этот эффект достигается с помощью канала нейтрализации и электростатической отклоняющей системы. Также показана высокая направленность пучка БНЧ и возможность его транспортировки на большие расстояния. Приведены результаты исследования скорости распыления пучком нейтральных частиц Ar0 различных материалов.

МАСАЛЬСКИЙ Н.В. — 2014 г.

Обсуждается перспективный подход для реализации широкополосной оптической модуляции. На основе экспериментальных данных при помощи численных решений исследованы статические и динамические модуляционные характеристики субмикронных фазовых фотонных модуляторов выполненных на базе технологии “кремний на изоляторе”. Определены пути оптимизации параметров субмикронных фотонных устройств для реализации широкополосной модуляции с высокой эффективностью в полосе более 100 ГГц.

ДУНАЕВ А.В., МУРИН Д.Б. — 2014 г.

Проведено исследование электрофизических параметров в смесях HCl–Ar, HCl h3 и HCl Cl2 в условиях тлеющего разряда постоянного тока. Показано, что в HCl–Ar не наблюдается увеличения концентрации атомарного хлора. В смеси HCl h3 не выявлено существенных изменений в кинетике атомно-молекулярных процессов, а, следовательно, и балансе нейтральных частиц в плазме. Увеличение содержания газа добавки в смеси HCl Cl2 сопровождается монотонным ростом концентрации атомов хлора и плотности их потока на поверхность, ограничивающую объем плазмы.

ВИШНЕВСКИЙ А.С., ВОРОТИЛОВ К.А., ЛАВРОВ П.П., ЛАНЦЕВ А.Н., ПОДГОРНЫЙ Ю.В. — 2014 г.

Исследовано влияние легирования лантаном пленок цирконата-титаната свинца (ЦТСЛ) на поляризационные свойства и токи утечки. Пленки Pb1 - xLax(Zr0.48Ti0.52)1 - x/4O3 с x = 0; 0.02; 0.05; 0.08 и 0.1 толщиной 240 нм сформированы золь-гель методом при температуре отжига 650°С на подложках со структурой Si SiO2 TiO2 Pt. Установлено, что при легировании La имеет место уменьшение остаточной поляризации и коэрцитивного поля. Пленки с x = 0.02 имеют приемлемые значения сегнетоэлектрических характеристик (7 мкКл/см2, 25 кВ/см) для их использования в сегнетоэлектрической памяти. Вольт-амперные характеристики пленок ЦТСЛ имеют две характерные области. В диапазоне слабых полей (до 80–90 кВ/см) ток утечки обусловлен преимущественно высоким сопротивлением обедненной области обратно смещенного барьера Шоттки на границе раздела электрод-сегнетоэлектрик, в результате чего величина тока утечки практически не зависит от содержания La. При превышении порогового напряжения происходит пробой барьера Шоттки, и в области сильных полей ток утечки определяется концентрацией свободных носителей в объеме пленки, зависящей от степени легирования La. При x = 0.02 ток утечки уменьшается приблизительно на два порядка по сравнению с нелегированной пленкой ЦТС. Дальнейшее увеличение содержания La сопровождается увеличением тока утечки в области сильных полей вследствие смены типа проводимости и увеличения концентрации носителей n-типа.

ВАЛЕЕВ А.С., КРАСНИКОВ Г.Я. — 2015 г.

Выполнен анализ технологических операций при изготовлении многоуровневых межсоединений современных СБИС методом Двойной Дамасцен и выделены проблемные операции. 1) Травление пористой внутриуровневой изоляции с ультра низким значением диэлектрической постоянной. 2) Нанесение металлических барьерного и зародышевого слоев на пористую поверхность вытравленных диэлектрических пористых промежутков, в которых будут формироваться медные проводники. 3) Низкая механическая прочность диэлектрических пористых промежутков между медными проводниками. 4) Недостаточная устойчивость медных проводников к отказам из-за электромиграции. 5) Быстрое увеличение удельного сопротивления медных проводников с уменьшением их ширины и ограниченные возможности компенсации этого явления при увеличении высоты проводников. Предложены возможные пути решения этих проблем: вначале изготавливаются горизонтальные медные проводники и далее в промежутки между проводниками встраивается пористый диэлектрик, используя золь–гель метод ХНР (химическое нанесение из растворов на центрифуге). Горизонтальные медные проводники можно изготовить используя метод стандартного одинарного Дамасцена, встраивая медные проводники внутрь временной маски, которая далее удаляется и заменяется пористым диэлектриком. В другом способе можно использовать локальное электрохимическое осаждение медных проводников, если на поверхность пластины предварительно нанести барьерный (БС) и зародышевый (ЗС) слои и на их поверхности сформировать временную маску с рисунком горизонтальных проводников вскрытую до поверхности зародышевого слоя. При этом способе осаждения медные проводники сразу после осаждения имеют текстурированную кристаллическую структурту, что упрощает получение удлиненных кристаллитов при последующей термической рекристаллизации, а поверхности проводников также локальным электрохимическим способом могут быть покрыты металлическим барьерным слоем, например из CoWP. Далее слои БС и ЗС удаляются. Аналогично, в промежутки между медными проводниками встраивается пористый диэлектрик с ультранизким значением диэлектрической постоянной. Рассматривается также следующий этап формирования межсоединений при создании многокристальных СБИС методом ЗД вертикальной сборки утонённых кристаллов, соединяя их между собой медными проводниками, пронизывающими насквозь кристаллы чипов способом ЗД ТСВ (3D TSV-through substrate via). С целью повышения отвода тепла от таких сборок и повышения механической прочности соединения кристаллов, одновременно с заполнением медью сквозных отверстий в кристаллах и формированием на их поверхностях микро бампов, их торцевые поверхности также покрываются медной пленкой и материалом микро бампов над поверхностью кристаллов.

ГАПОНЕНКО Н.В., КОЛОС В.В., ПЕТЛИЦКИЙ А.Н., РУДЕНКО М.В., СОХРАБИ АНАРАКИ Х., ТУРЦЕВИЧ А.С. — 2015 г.

Синтезирован тонкопленочный сегнетоэлектрический конденсатор на подложке кремния. Основу конденсатора составляет многослойная пленка титаната стронция толщиной 280 нм, полученная золь–гель методом при температуре отжига 750°С. Нижний электрод сформирован из платины, верхний – из никеля. Среднее значение диэлектрической проницаемости составляет 153, среднеквадратическое отклонение – 12. Среднее значение тангенса угла диэлектрических потерь составляет 0.06, среднеквадратическое отклонение 0.01.

ЖУКОВ В.А., МАСЛОВ В.Г. — 2015 г.

Рассмотрен вариант туннельного полевого нанотранзистора на квантовой яме, в котором управляющее напряжение 0.6 В прикладывается к окружающим яму барьерам, а сток электронов происходит из квантовой ямы. Электроны туннелируют в квантовую яму через первую половину двугорбого туннельного барьера (двойного гетероперехода), образованного сэндвичем из трех слоев широко зонных 2D полупроводников (производных графена: пергидроксиграфен (COH)n, флюорографен (CF)n, графан (CH)n) с резко отличающимися уровнями дна зоны проводимости. Средний слой – флюорографен (CF)n имеет низшее дно зоны проводимости, которое и образует квантовую яму глубиной 3 эВ и шириной 0.6 нм в общем туннельном потенциальном барьере шириной 1.8 нм и служит каналом для стока электронов. Истоковый и затворный металлические электроды прилегают к внешним слоям 2D полупроводников сэндвича – пергидроксиграфену (COH)n и графану (CH)n соответственно, образуя общий “затворный” сэндвич, размером 20 ? 20 нм2. Металлический стоковый электрод с шириной 10 нм и с потенциалом на 1 В выше, чем у первого электрода (истока) прилегает к выходящему за пределы сэндвича среднему слою флюорографена (CF)n, имеющему для этого большую 35 нм ширину, чем внешние слои 2D полупроводников внутреннего трехслойного сэндвича. Потенциал открывания затвора равен 0.62 В. Максимальный рабочий ток Isd = 2 ? 10-5 A. Ток со стока в закрытом состоянии равен нулю, а паразитный ток, текущий через затворный электрод в открытом состоянии Ig = Ileak 10-10A. Квантовая емкость транзистора позволяет устройству работать при частоте до 1012 Гц.

МАИШЕВ Ю.П., ТЕРЕНТЬЕВ Ю.П., ШЕВЧУК С.Л. — 2015 г.

Разработана установка травления и нанесения тонкопленочных структур, оснащенная оригинальным источником “Нейтрал-Л”, формирующим ленточный пучок быстрых нейтральных частиц, полученный при использовании различных рабочих газов. Система нейтрализации и сепарации источника обеспечивает стопроцентную нейтрализацию пучка. С целью повышения равномерности обработки подложек в технологическую камеру установки встроена система с программируемым контроллером возвратно-поступательного линейного перемещения подложкодержателя относительно ленточного пучка. Экспериментально исследованы технологические возможности установки. Проведены процессы травления и нанесения материалов при использовании различных рабочих газов.

ДАВЫДОВ Г.Г., ЕГОРОВ А.Н., САВЧЕНКОВ Д.В., СКОРОБОГАТОВ П.К., СОГОЯН А.В. — 2015 г.

Проведена расчетно-экспериментальная оценка влияния направления поляризации лазерного излучения (ЛИ) на ионизационный отклик БИС ЗУ, изготовленной по КМОП-технологии с проектными нормами 0.18 мкм. Проведены сравнительные исследования влияния поляризации ЛИ как при локальном воздействии, так и при воздействии на весь кристалл. Обоснована необходимость учета направления поляризации ЛИ при моделировании локальных ионизационных эффектов.

КЕРИМОВ Э.А. — 2015 г.

Проведенные эксперименты показывают, что неоднородность границы раздела металл–полупроводник деградирует характеристики диодов Шоттки, в данном случае – высоту барьера.

АНИЩЕНКО Е.В., ЕРОФЕЕВ Е.В., ИШУТКИН С.В., КАГАДЕЙ В.А. — 2015 г.

Представлены технологические решения по формированию межэлементной металлизации GaAs СВЧ-монолитных интегральных схем на основе тонкопленочной композиции W/Cu/WNx. Особенность предложенных решений заключается в том, что впервые с применением, традиционного для производства GaAs монолитных интегральных схем, метода обратной литографии были созданы медные проводники, вся поверхность которых была полностью окружена слоями диффузионных барьеров. Медные проводники толщиной 380 нм осаждались методом электронно-лучевого испарения в вакууме, слои планарных и торцевых диффузионных барьеров на основе W и WNx – магнетронным распылением. С целью эффективного формирования торцевых диффузионных барьеров на вертикальных поверхностях медных проводников была проведена оптимизация профиля окон в двухслойной резистивной маске. Представлены режимы снятия фоторезистивной маски, позволяющие эффективно удалять металлические “вуали”, образованные паразитным осаждением пленок диффузионных барьеров на вертикальные стенки резистивной маски при магнетронном распылении. Разработанные процессы были интегрированы в технологический маршрут изготовления GaAs СВЧ малошумящих усилителей на основе транзисторов с высокой подвижностью электронов с T-образным затвором, имеющим длину основания 250 нм.

БАРБАШОВ В.М. — 2015 г.

Рассмотрены методы моделирования радиационной надежности функционирования цифровых БИС, основанные на нечетком цифровом автомате Брауэра и топологических вероятностных моделях оценки работоспособности.

МИТРОПОЛЬСКИЙ Ю.И. — 2015 г.

Приведен обзор развития архитектуры и элементной базы отечественных и зарубежных суперкомпьютеров на протяжении 50 лет – от первых скалярных машин CDC 6600, CDC 7600, IBM Stretch, БЭСМ-6 до современных систем с петафлопсной производительностью. Выделены этапы развития: скалярные, векторно-конвейерные машины, массивно-параллельные системы на микропроцессорах, системы с использованием акселераторов и сопроцессоров и неоднородные системы на новой элементной базе. Проанализированы основные проблемы создания экзафлопсных систем и рассмотрены планы зарубежных фирм по созданию таких систем. На основе анализа собственного опыта исследований по мультиархитектурным системам автор приходит к выводу, что в нашей стране нельзя повторять ошибочный с технической точки зрения путь от персональных компьютеров к суперсистемам, а необходимо результаты разработки суперсистем использовать при создании всех классов машин, включая персональные. Создание собственной архитектуры, собственной элементной базы и собственного программного обеспечения суперсистем является абсолютно необходимым условием обеспечения стратегической независимости и гарантии непрерывного развития.

ДЕНИСЕНКО М.А., КОНОПЛЕВ Б.Г., РЫНДИН Е.А. — 2015 г.

Рассмотрен метод построения быстродействующей элементной базы интегральных схем на основе полупроводниковых материалов АIIIВV с использованием принципов комплементарной логики, обеспечивающий повышение быстродействия и степени интеграции интегральных схем СВЧ.

АВДЕЕВ Н.А., БИБИЛО П.Н. — 2015 г.

Описываются результаты экспериментального сравнения программ минимизации различных форм представлений систем полностью определенных булевых функций. Эксперименты показали, что более предпочтительными при синтезе комбинационных логических схем из библиотечных элементов являются программы минимизации многоуровневых представлений на основе разложения Шеннона и декомпозиции по сравнению с программами минимизации в классе дизъюнктивных нормальных форм.

РУДЕНКО К.В., ФАДЕЕВ А.В. — 2014 г.

Малоракурсная эмиссионная томография (ЭТ) плазмы, предполагающая введение физических свойств объектов в алгоритм реконструкции, нуждается в достоверной экспериментальной верификации результатов независимыми методами для установления адекватности принятой модели неоднородностей плазмы. В представленной работе выбранный объект исследования – низкотемпературная плазма аргона в реакторе с удаленным источником плазмы – позволил изучить двумерное пространственное распределение концентрации ионов Ar+, вычисленное на основе алгоритма двухракурсной ЭТ, и верифицировать полученные результаты прямыми измерениями Ленгмюровским мультизондом, размещенным в плоскости томографического сканирования. Исследования проводились при значениях давления в камере 2–12 мторр, была оценена чувствительность однородности поля ионов к внешнему магнитному полю. Получено хорошее соответствие измеряемых и реконструированных томографией концентрационных полей Ar+. Отличия в значениях полученных зондовым методом и реконструкцией данных ЭТ по двум ракурсам не превосходят 10%.

НОВИКОВ Ю.А. — 2014 г.

Приведен анализ экспериментов, выполненных на растровых электронных микроскопах, с тест-объектами с трапециевидным профилем и большими углами наклона боковых стенок. На основе анализа предложена полуэмпирическая модель формирования изображения в РЭМ, работающим в низковольтном режиме и в высоковольтном режиме при регистрации обратно рассеянных и вторичных медленных электронов. Модель предназначена для применения в виртуальном РЭМ.

НОВИКОВ Ю.А. — 2014 г.

Приведено описание виртуального РЭМ, созданного на основе симулятора информации, получаемой на реальном РЭМ. В основе виртуального РЭМ лежит полуэмпирическая модель формирования изображения в РЭМ, работающем в низковольтном режиме и в высоковольтном режиме при регистрации обратно рассеянных и вторичных медленных электронов. Предложен метод сравнения реального и виртуального изображений. Приведены примеры работы виртуального РЭМ для элементов структур, находящихся как вдали от краев структуры, так и близко расположенных к этим краям.

КУЗНЕЦОВ В.С., КУЗНЕЦОВ П.А., РУДЫЙ А.С. — 2014 г.

Рассмотрено влияние генерации и рекомбинации свободных носителей заряда в р–i–n-структуре в сильных электрических полях на стационарные вольт-амперные характеристики. Исследованы вопросы устойчивости стационарных решений. Показано, что вид стационарных вольтамперных характеристик и их устойчивость зависят от соотношений между свободными электронами и дырками в инжектированном токе в i-слой и в токе, выходящем из слоя. При прямом включении структуры возможно возникновение осцилляции.

БУЛГАКОВА С.А., ГУРОВА Д.А., ЗАЙЦЕВ С.Д., КУЛИКОВ Е.Е., ПЕСТОВ А.Е., САЛАЩЕНКО Н.Н., СКОРОХОДОВ Е.В., ТОРОПОВ М.Н., ЧХАЛО Н.И. — 2014 г.

Изучены резистивные композиции на основе тер-сополимеров изоборнилакрилата с метилметакрилатом и (мет)акриловой кислотой, синтезированных методом контролируемой радикальной полимеризации по механизму обратимой передачи цепи, и трифенилсульфонийтрифлата в качестве фоточувствительного катализатора. Оценено влияние агента передачи цепи, состава и молекулярной массы сополимера на чувствительность резистов к УФ-излучению (222 нм). На примере тер-сополимера трет-бутоксикарбонилоксистирола с метилметакрилатом и метакриловой кислотой изучена зависимость литографических свойств фоторезиста от химического строения фотогенератора кислоты. Исследована плазмохимическая стойкость (со)полимеров-резистов метакрилового ряда в плазме потоков Ar + SF6.

БОРУЗДИНА А.Б., ГРИГОРЬЕВ Н.Г., УЛАНОВА А.В. — 2014 г.

Проведен анализ факторов, влияющих на сбоеустойчивость микросхем памяти. Рассмотрены различные топологические конфигурации 6-транзисторных ячеек памяти. Определены две конфигурации ячеек, наиболее чувствительные к эффекту многократных сбоев.

ПЕРШЕНКОВ В.С., СОГОЯН А.В., ЧЕРЕПКО С.В. — 2014 г.

Представлены результаты экспериментального исследования кинетики послерадиационного образования поверхностных состояний в МОП-структуре в среде молекулярного водорода в различных полевых режимах. Установлено, что важным элементом процесса накопления радиационно-индуцированных поверхностных состояний является взаимодействие водородосодержащих комплексов с электронами подложки. Полученные данные позволяют рассматривать “водородную” и конверсионную концепции с позиции единой водородно-электронной модели встраивания поверхностных состояний. В рамках предлагаемого подхода для образования поверхностных состояний необходимо как наличие у границы оксид–кремний положительно заряженных водородосодержащих комплексов, так и взаимодействие этих комплексов с электронами из подложки. Оба компонента могут являться фактором, ограничивающим скорость образования поверхностных состояний в конкретных условиях.

ГРОМОВ Д.В., ЕГОРОВ А.Н., НИКИФОРОВ А.Ю., СКОРОБОГАТОВ П.К. — 2014 г.

Обоснован метод повышения эффективности использования энергии лазерного излучения (ЛИ) для создания высоких уровней эквивалентной мощности дозы, основанный на уменьшении длины волны излучения. Показано, что оптимальный диапазон энергий ЛИ для моделирования объемных ионизационных эффектов в КМОП-микросхемах, выполненных по объемной технологии, лежит в пределах от 1.08 до 0.97 мкм.

КУЛИКОВ А.Н., КУЛИКОВ Д.А., МЕТЛИЦКАЯ А.В., РУДЫЙ А.С. — 2014 г.

DOI: 10.7868/S0544126914040103 Список литературы

ДВОРЯНКИН В.Ф., ДИКАЕВ Ю.М., КРИКУНОВ А.И., ПАНОВА Т.М., ТЕЛЕГИН А.А. — 2004 г.

Предложена и исследована многоэлементная рентгеновская линейка детекторов с шагом 108 мкм на основе эпитаксиальных слоев GaAs (р +-n-n'-n +), в которой разделение сигналов между детекторами достигнуто за счет встроенного “охранного” кольца, способствующего подавлению межканальных поверхностных токов утечки. По разработанной и предложенной технологии предполагается изготовить аналогичные многоэлементные детекторы с шагом 50 мкм для пространственного разрешения 10 пар/лин/мм, которые могут использоваться в цифровой маммографии.

НИКИФОРОВ А.Ю., СОГОЯН А.В. — 2004 г.

Проведено моделирование физических процессов в паразитных МОПТ при воздействии ИИИ с учетом самосогласованного поля радиационно-генерированных зарядов и его флуктуаций, а также действия парной и бимолекулярной рекомбинации. Анализ процессов дисперсионного переноса с учетом локального самосогласованного поля и зависящих от него времен перескока проведен методом Монте-Карло. Рассмотрена специфика импульсной реакции окисла КНИ-структур при наличии в нем центров захвата электронов. Предложен подход к моделированию радиационного поведения изолирующего окисла при высоких мощностях дозы импульсного ионизирующего излучения на основе замены импульсного облучения при комнатной температуре стационарным облучением при низких температурах.

АГАХАНЯН Т.М. — 2004 г.

Рассматриваются особенности моделирования микросхемы на основе математической модели, отражающей ее реакцию на ионизирующее излучение. Моделирование проводится с учетом его использования для решения проблемы повышения радиационной стойкости как самих микросхем, так и электронной аппаратуры, построенной на их основе.

БОБРИНЕЦКИЙ И.И., НЕВОЛИМ В.К., СТРОГАНОВ А.А., ЧАПЛЫГИН Ю.А. — 2004 г.

Разработана методика высаживания и присоединения к контактам пучков однослойных углеродных нанотрубок. Проанализированы причины, вызывающие разрушения электрического контакта нанотрубок с металлическими электродами. Предложен метод токового изменения начальной величины проводимости пучка нанотрубок. На основе пучка нанотрубок создан макет транзистор p-типа проводимости. Исследованы его статические электрические свойства.

БЕРАШЕВИЧ Ю.А., БОРИСЕНКО В.Е., НОВИК Н.В. — 2004 г.

Разработана модель одномерного переноса носителей заряда в молекуле ДНК, включающая два основных транспортных механизма - термоактивированный и туннельный перенос носителей заряда. В результате моделирования показано, что превалирование туннельного механизма переноса носителей в случае узких барьеров, образованных нуклеотидами аденином, тимином и цитозином, позволяет получать высокую скорость процессов переноса и стабильные вольт-амперные характеристики в широком диапазоне температур. Увеличение ширины потенциального барьера ведет к росту вклада термоактивированного переноса носителей заряда через молекулу и деградации электрических характеристик. Показано, что возможность регулирования проводимости молекулы ДНК с помощью изменения набора образующих ее динуклеотидов наряду с высокой скоростью протекания процессов переноса, порядка 10 -14-10 -12 с, делает ее перспективной для создания новых биоэлектронных приборов. Показана возможность создания приборных структур, выполняющих логические операции отрицания, сложения и умножения.

КОРНИЛОВ Б.В., МИХАЙЛОВ Г.Б., ПРИВЕЗЕНЦЕВ В.В. — 2004 г.

Рассмотрена нелинейная теория рекомбинационных волн в Si(Zn) с учетом нарушения квазинейтральности электронно-дырочной плазмы. В условиях развитой электрической неустойчивости получена связь между скоростью движущегося домена и параметрами материала, а также видом вольтамперной характеристики образца. Экспериментальное значение электрического поля, при котором происходит трансформация пространственно однородной рекомбинационной волны в движущий домен, соответствует расчетной величине. Теоретическая полевая зависимость частоты колебаний тока для области полей, соответствующей сформировавшемуся движущемуся домену, качественно и количественно согласуется с экспериментальной.

ЗАЙЦЕВ Н.А., МАТЮШКИН И.В., ШАМОНОВ Д.В. — 2004 г.

Проанализированы вычислительные аспекты решения уравнения Томаса-Ферми, описывающего сферически симметричный атом в составе твердого тела. Определены границы применимости метода стрельбы для решения краевой задачи. При решении уравнения комбинированным методом прогонки наблюдался случай детерминированного хаоса для итерационного процесса.

ЧУМАКОВ А.И. — 2004 г.

Предложена аналитическая модель для оценки зависимости сечений одиночных сбоев от энергии протонов, основанная на простейшей модели протекания ядерных реакций в кремнии под действием протонов. Анализ полученных результатов позволил сделать предположение о возможности прогнозирования, основываясь только на одном экспериментальном значении сечения одиночных сбоев, полученном при энергии протонов выше 100 МэВ. Результаты моделирования подтверждены экспериментальными данными. Показана потенциальная возможность оценки параметров чувствительности ИС к эффектам одиночных сбоев при воздействии ионов.

КИСЕЛЕВ В.К., ЛАТЫШЕВА Н.Д. — 2004 г.

Оценена радиационная чувствительность чипа СБИС в интервале энергий облучающих квантов от 60 кэВ до 10 МэВ. Рассматривались чипы различной формы при фиксированной площади поверхности.

СМОЛИН В.К. — 2004 г.

В настоящей работе сделана попытка дать ретроспективу решений вопросов, связанных с нанесением, модификацией и размерной обработкой алюминиевых слоев.

ГЛУХМАНЧУК В.В., КОВАЛЕВСКИЙ А.А., СОРОКИН В.М., ТАРАСИКОВ М.В. — 2004 г.

На основе экспериментальных данных проведена оценка первой стадии процесса диффузии мышьяка и фосфора в слой пористого кремния при плазменном стимулировании. Показана возможность значительного снижения температуры в процессе первой стадии диффузии с использованием газовых источников. Установлено, что использование слоя пористого кремния, сформированного в результате плазмохимического травления кремния, обеспечивает более высокую равномерность распределения примеси по площади пластины по сравнению с пористым слоем, сформированным в процессе электрохимического анодирования кремния. Установлено, что наиболее ответственными параметрами, влияющими на воспроизводимость и качество легированного слоя пористого кремния, как источника диффузии, являются регулярность размера пор, температура подложки и условия плазмохимического воздействия на процесс разложения гидридов. Слой пористого кремния должен иметь равноценное распределение пор по диаметру и глубине по всей площади кремниевой пластины. Залегированные мышьяком и фосфором такие слои пористого кремния из газовых источников при плазменном стимулировании могут быть использованы при производстве n-n +-структур

ЗВЕРЕВ А.В., НЕИЗВЕСТНЫЙ И.Г., ЧЕМАКИН А.В., ШВАРЦ Н.Л., ЯНОВИЦКАЯ З.Ш. — 2004 г.

С помощью трехмерной Монте-Карло модели эпитаксии и отжига на поверхностях алмазоподобного кристалла проведено моделирование процесса эпитаксиального роста на пористых поверхностях кремния (111) и (001). Показано, что на поверхности (111) формируется гладкий сплошной слой, а на поверхности (001) образуются пирамидальные ямки, ограненные плоскостями (111). Во всем исследуемом диапазоне температур, ростовых потоков и параметров пористой подложки величина критической дозы, минимальной дозы, необходимой для затягивания пор, для поверхности (111) оказалась существенно меньше, чем для поверхности (001). Разница морфологии на этих двух поверхностях после формирования сплошного слоя над порами связана с различием атомной диффузии по поверхностям (111) и (001). Получены зависимости глубины проникновения осажденного вещества в пористый слой от условий осаждения и пористости подложки. Приведены данные по спеканию пористых поверхностей Si(001) при высокотемпературных отжигах.

КАЛУГИН В.В., ПРОКОПЬЕВ Е.П., ТИМОШЕНКОВ С.П. — 2004 г.

В данной работе приведено описание технологии изготовления структур кремний на изоляторе методом сращивания и газового скалывания. Представлены результаты исследований параметров структур кремний на изоляторе, полученных с использованием методов сращивания для изготовления ИС, полупроводниковых приборов, микромеханических устройств и сенсоров специального назначения. Обсуждаются результаты исследования характеристик поверхности исходных пластин и полученных структур кремний на изоляторе.

ВОЛКОВ В.Т., ВОРОБЬЕВ М.О., ГЕОРГОБИАНИ А.Н., ГРУЗИНЦЕВ А.Н., ДРАВИН В.А. — 2004 г.

Показано, что внедрение методом ионной имплантации в пленки оксида цинка акцепторной примеси азота может привести к формированию дырочной проводимости лишь после отжига в парах радикалов кислорода. Имплантация и последующий отжиг влияют не только на электрические свойства, но и на спектры фотолюминесценции слоев ZnO : N +. Найдены полосы в ультрафиолетовой и видимой части люминесценции, обусловленные внедрением азота.

КАЛИНУШКИН В.П., ЛЫТКИН А.П., ЛЯПУНОВ С.И., ЮРЬЕВ В.А. — 2004 г.

Показана возможность применения инфракрасной термографии для выявления неоднородностей в слитках кремния. Предложенный метод идеологически не отличается от методов визуального контроля, применяемых для диагностики оптических материалов, прозрачных в видимой области спектра. Для проведения термографической диагностики не требуется никакой предварительной подготовки исследуемого слитка. Простота и удобство термографической диагностики позволяют рассматривать ее как весьма перспективный метод контроля качества продукции в заводских условиях. Данный метод может применяться для диагностики слитков большинства используемых в технике полупроводниковых материалов.

ВЬЮРКОВ В.В., ОРЛИКОВСКИЙ А.А., СИДОРОВ А.А. — 2004 г.

В работе представлен сравнительный обзор современных публикаций по квантовому и классическому моделированию кремниевых полевых транзисторов на подложке “кремний на изоляторе”. Предложен метод моделирования, позволяющий учесть энергию поперечного квантования в канале транзистора в виде поправки. Разработана программа моделирования ВALSOI. Проведено сравнение расчетов с помощью классического двумерного метода Монте-Карло и метода, учитывающего поперечное квантование в канале транзистора. Результаты расчетов показывают гораздо меньшее отличие, чем можно было бы ожидать. Это объясняется существенным влиянием пространственного заряда, который в наибольшей степени определяется продольным классическим движением носителей в канале. Приведена аналитическая оценка влияния квантовых эффектов на емкость между затвором и каналом транзистора. Рассмотрен вопрос о величине туннельного тока короткоканального транзистора в закрытом состоянии.

ГОНТАРЬ В.В., ЧУМАКОВ А.И. — 2004 г.

Проведено расчетное моделирование зависимости уровней стойкости ИС от длительности, формы и последовательности воздействующих импульсов ионизирующего излучения. Предложена и обоснована методика по оценке уровней радиационной стойкости ИС при воздействии импульсного излучения произвольной формы или последовательности импульсов. Методика основана на экспериментальном определении значений уровней стойкости ИС при двух длительностях импульсов ионизирующего излучения. Результаты прогнозирования подтверждены экспериментальными данными по изменению уровней стойкости ИС при воздействии ионизирующего излучения различной формы и длительности.

КОРНИЛОВ Б.В., ПРИВЕЗЕНЦЕВ В.В. — 2004 г.

Методом потенциального контраста в растровом электронном микроскопе (РЭМ) проведена визуализация распределения по длине образца амплитуды медленных рекомбинационных волн в Si‹Zn›. Установлено, что в стационарном режиме амплитуда рекомбинационных волн распределена по длине образца неравномерно: ее max располагается у катода в области статического домена сильного поля и спадает практически до нуля вдали от анода. С ростом приложенного к образцу постоянного смещения амплитуда рекомбинационных волн возрастает. В области статического домена сильного поля при больших электрических полях в РЭМ наблюдается немонотонность изменения потенциала по длине образца, свидетельствующая о стратификации электрического поля.

ГУЛЯЕВ И.Б., ЖДАН А.Г., КУХАРСКАЯ Н.Ф., ТИХОНОВ Р.Д., ЧУЧЕВА Г.В. — 2004 г.

Проанализирован вклад случайных и систематических ошибок определения квазистатических вольт-фарадных характеристик (ВФХ) в спектры пограничных состояний у контактов полупроводник/диэлектрик - N ss(E), определяемый методом равновесной вольт-емкостной спектроскопии. Первые проявляются в виде статистических флуктуаций функции N ss(E), неограниченно возрастающих по амплитуде к краям щели Si, а вторые - в виде фиктивных “хвостов” плотности пограничных состояний. Наиболее существенны систематические ошибки определения “емкости окисла”, постоянной интегрирования в уравнении, связывающем поверхностный потенциал полупроводника с ВФХ, и численного интегрирования этого уравнения при ограниченном числе точек, регистрируемых на ВФХ. Предложены подходы к минимизации такого рода ошибок, позволяющие существенно расширить энергетический интервал ΔE наблюдения функции N ss(E) и повысить чувствительность вольт-емкостной спектроскопии к плотности пограничных состояний. Эффективность этих подходов продемонстрирована на примере вольт-емкостной спектроскопии реальной гетерограницы Si/SiO 2. Интервал ΔE в пределах щели Si расширен до =0.9 эВ., а чувствительность к изменению повышена до =0.1 мэВ., что позволяет фиксировать весьма малые (≡5 х 10 7 см -2) изменения интегральной плотности пограничных состояний. Наблюдавшиеся на гетерогранице Si/SiO 2 пограничных состояний, энергетически локализованные у дна зоны проводимости Si, не являются P b-центрами; их происхождение связано, скорее всего, с присутствием в окисле вблизи его границы c Si положительных ионов - электронных ловушек, туннельно обменивающихся электронами с зоной проводимости кремния.

СНИТОВСКИЙ Ю.П. — 2004 г.

Изучено влияние технологических обработок поверхности кремния в контактных окнах к эмиттеру и базе биполярных СВЧ-транзисторов на величину переходного сопротивления контактов Al/Мо-Si и параметры транзисторов. Показана целесообразность комбинированной обработки поверхности кремния, включающей очистку в перекисно-аммиачной смеси, стационарный вакуумный отжиг, повторную очистку в перекисно-аммиачной смеси, финишную обработку в 1%-ном растворе плавиковой кислоты или импульсный фотонный отжиг и финишную обработку в 1%-ном растворе плавиковой кислоты. Реконструированная поверхность кремния в результате очистки позволяет снизить переходное сопротивление металл-полупроводник, создать тесный контакт и улучшить параметры СВЧ-транзисторов.

ЦУКАНОВ А.В. — 2015 г.

Анализируются спектры линейных протяженных фотонных изомеров, содержащих квантовые двухуровневые системы. Изучается влияние параметров отдельных микрорезонаторов на собственные частоты изомера. Разработан метод дифференциальной спектроскопии, с помощью которого можно не только определить спектр изомера, но и рассчитать парциальные амплитуды поля в каждом из резонаторов.

СТЕНИН В.Я. — 2015 г.

Транзисторы триггера КМОП-ячейки памяти DICE можно разделить на две группы и разнести их топологически, при этом, если воздействие одиночной ядерной частицы оказывается на транзисторы только одной из групп, сбой состояния ячейки не происходит, а ячейка переходит в нестационарное состояние. Если одновременно воздействие оказывается и на транзисторы второй группы, причем это воздействие превышает пороговое, то происходит сбой исходного состояния. Если воздействие на вторую группу ниже порогового, то из нестационарного состояния ячейка возвращается в исходное стационарное состояние. Проведены моделирование и анализ характеристик КМОП- ячейки памяти DICE с проектной нормой 28 нм в нестационарных состояниях, вызванных эффектами воздействия одиночной ядерной частицы на транзисторы только одной или обеих групп транзисторов ячейки.

ПОЛУНИН В.А., СОГОЯН А.В. — 2015 г.

Деградация подзатворного диэлектрика МОП-структур является одним из основных факторов, определяющих долговечность работы современных КМОП СБИС. Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что воздействие тяжелых заряженных частиц приводит к снижению характеристик надежности тонких (менее 10 нм) диэлектриков, возникновению токов утечки. При этом эффекты, обусловленные воздействием тяжелых заряженных частиц, оказываются “латентными”. В работе предложена модель формирования токов утечки диэлектрика, обусловленных воздействием тяжелых заряженных частиц. Модель основана на решении системы кинетических уравнений и позволяет преодолеть ряд ограничений известного перколяционного подхода.

БРИНКЕВИЧ Д.И., БРИНКЕВИЧ С.Д., ЛУКАШЕВИЧ М.Г., ОДЖАЕВ В.Б., ПРОСОЛОВИЧ В.С., ЯНКОВСКИЙ Ю.Н. — 2015 г.

Методом атомно-силовой микроскопии экспериментально показано, что в процессе ионной имплантации на поверхности позитивного фоторезиста ФП2190 формируются неравномерно распределенныe по поверхности конусообразныe структуры. Высота, диаметр в основании и плотность распределения таких структур зависит от условий облучения и вида имплантированных ионов. Наблюдаемые при имплантации изменения морфологии поверхности фоторезиста обусловлены релаксацией напряжений, образовавшихся в процессе изготовления полимерной пленки, и радиационно-химическими процессами в приповерхностном слое фоторезиста.

ЛЕМЕНТУЕВ В.А. — 2015 г.

Предложена модифицированная КМДП схемотехника типа “Домино”. На основе моделирования в системе SPICE тестовых и логических структур даны оценки временных параметров элементов схем.

ДУНАЕВ А.В. — 2015 г.

Изучены обзорные спектры излучения плазмообразующих газов хлора, хлороводорода, аргона и водорода, а также спектральный состав данных газов в присутствии полупроводниковой пластины арсенида галлия. Выбраны контрольные линии и полосы для спектрального контроля скорости процесса травления по интенсивности излучения линий и полос продуктов травления. Сделано предположение, что связь между интенсивностью излучения продуктов травления GaAs и скоростью травления в плазме хлора, хлороводорода и их смесей с аргоном и водородом описывается прямо пропорциональной зависимостью, что указывает на возможность контроля процесса травления спектральным методом в реальном времени.

ЦУКАНОВ А.В. — 2015 г.

Рассматриваются и анализируются результаты экспериментальных работ, посвященных дальнейшему совершенствованию технологии изготовления алмазных структур, содержащих NV-центры. Затрагиваются вопросы, связанные с получением центров (как одиночных, так и их ансамблей), управление их зарядом и пространственной ориентацией. Особое внимание уделяется новым направлениям, таким, как дельта-легирование алмазных пленок азотом и контроль направления центров относительно поверхности.

БОБРОВСКИЙ Д.В., МАВРИЦКИЙ О.Б., ПЕЧЕНКИН А.А., САВЧЕНКОВ Д.В., ЧУМАКОВ А.И. — 2015 г.

Представлены результаты расчетно-экспериментального моделирования одиночных тиристорных эффектов при воздействии сфокусированного лазерным излучением с тыльной стороны кристалла – со стороны подложки. Проанализированы возможности применения методики локального облучения для оценки эквивалентных линейных потерь энергии заряженных частиц в случае лазерного воздействия со стороны подложки. Проведено сравнение экспериментальных результатов, полученных на лазерной установке и ускорителях заряженных частиц для ряда современных БИС.

ЧУМАКОВ А.И. — 2015 г.

Предложен подход к оценке параметров чувствительности – сечений одиночных радиационных эффектов в функции линейных потерь при использовании модели собирания заряда точечной чувствительной областью. Представленная модель удовлетворительно описывает экспериментальные результаты по изменениям сечений одиночных радиационных эффектов от значений линейных потерь энергии и позволяет относительно просто учитывать угловые зависимости для падающих ионов. Предложен подход по оценке чувствительности интегральных схем к эффектам многократных одиночных сбоев.

ЕФРЕМОВ А.М., МУРИН Д.Б. — 2015 г.

Проведено сравнительное исследование влияния начального состава бинарных смесей HCl + Ar, h3, O2 и Cl2 на стационарные электрофизические параметры и состав плазмы тлеющего разряда постоянного тока. Получены данные по приведенной напряженности электрического поля, средней энергии и концентрации электронов, концентрациям и плотностям потоков атомов и ионов. Проведен модельный анализ влияния начального состава смесей на кинетику взаимодействия активных частиц плазмы с поверхностью в режиме ионно-стимулированной химической реакции.

ШАНЫГИН В.Я., ЯФАРОВ Р.К. — 2015 г.

Обнаружено и исследовано с использованием модели адсорбции Лэнгмюра из прекурсорного состояния явление самоорганизации наноразмерных доменов при осаждении субмонослойных углеродных покрытий в СВЧ-плазме паров этанола низкого давления на атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100). Установлены закономерности влияния температуры подложки и электрического смещения на кинетику и механизм доменного структурирования, представляющего собой поверхностный фазовый переход на кремнии (100). Показано, что высокая селективность травления кремния и углерода в некоторых химически активных газовых средах позволяет использовать образующиеся углеродные островки в качестве безлитогрфических масочных покрытий для получения интегральных наноразмерных столбчатых структур в кристаллах кремния (100) с использованием высокоразрешающего плазмохимического травления.

ПЕТРОВ К.А., СТЕНИН В.Я. — 2015 г.

Проведен анализ кодеров-декодеров, применяемых в ОЗУ для повышения надежности хранения данных при воздействиях одиночных ядерных частиц. Декодер Хсяо при равном количестве проверочных битов имеет меньшую задержку прохождения сигналов, чем декодер модифицированного кода Хэмминга, а декодер расширенного кода Хсяо с дополнительными проверочными битами имеет наименьшую задержку среди всех декодеров. Использование в ОЗУ декодеров Хсяо с блоками с укороченной схемой коррекции, симметрично-упрощенной схемой вычисления вектора ошибки и схемой формирования сигналов ошибки без использования вектора ошибки позволяет уменьшить длину критических путей и снизить аппаратурные затраты для случаев, когда исключается обнаружение трехкратных ошибок. Для SEC-DAEC кодов обоснована одинаковая эффективность декодеров Ричтера, а также кодеров-декодеров, полученных оптимизацией на основе генетических алгоритмов.

КАТУНИН Ю.В., ЛЕВИН К.Э. — 2015 г.

Повышение сбоеустойчивости блоков помехоустойчивого кодирования с использованием элементов двухфазной КМОП-логики позволяет повысить сбоеустойчивость кодеров-декодеров. Представлены результаты моделирования двухфазного 28 нм КМОП-логического элемента ИСКЛ-ИЛИ с различными конфигурациями внутренних электрических связей в сравнении с однофазным элементом при воздействии помехи. Спроектирована тестовая библиотека двухфазных элементов, с использованием которой на примере кодера/декодера Хсяо (72, 64) разработан маршрут автоматизированного синтеза нерегулярных топологических структур. Результатом является проектирование 28 нм КМОП кодера/декодера Хсяо.

КАТУНИН Ю.В., СТЕНИН В.Я. — 2015 г.

Помехоустойчивость двухфазной 28 нм КМОП-комбинационной логики (на примере двухфазного инвертора) к воздействию одиночных ядерных частиц существенно выше, если конструктивная емкость между выходами двухфазного инвертора меньше порогового значения. В этом случае на следующий двухфазный элемент поступает ослабленная помеха, которая не изменяет его логического состояния, а переводит в “заблокированное“ состояние на длительность помехи. Пороговое значение емкости больше у двухфазных КМОП-инверторов с симметричными переключательными характеристиками при переключении как из 1 в 0, так и из 0 в 1. Пороговая критическая характеристика позволяет проводить сравнение двухфазных КМОП-элементов, выполненных по разным проектным нормам и оценивать выигрыш двухфазной логики при воздействии одиночных частиц на один из дифференциальных узлов. Критические заряды двухфазных элементов существенно превышают (как минимум в 20 раз на примере инверторов) критические заряды традиционной КМОП-логики.

ГУСЕВ Д.В., ЛИТВИНЕНКО Р.С., СУХАНОВ В.С. — 2015 г.

Представлена конструкция кремниевого кристалла матрицы тензорезистивных чувствительных элементов давления МИПД-32 для интеллектуальных робототехнических комплексов, обладающих функцией тактильного восприятия. Приведены экспериментальные данные по чувствительности тензопреобразователей.

АЛТУХОВ В.И., БИЛАЛОВ Б.А., КАСЬЯНЕНКО И.С., КУРБАНОВ М.К., САНКИН А.В., САФАРАЛИЕВ Г.К. — 2015 г.

Предлагается простая нелинейная по концентрации дефектов модель контакта металл–полупроводник, когда барьер Шоттки формируется поверхностными дефектными состояниями Ei, локализованными на границе раздела. Показано, что учет нелинейной зависимости энергии Ферми ЕF от концентрации дефектов ведет к повышению барьера Шоттки на 15–25%. Рассчитанные значения высоты барьера используются для анализа вольтамперных характеристик структур M/(SiC)1 - x(AlN)x. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными результатами.

ГЛИНСКИЙ И.А., ЗЕНЧЕНКО Н.В. — 2015 г.

Разработана методика моделирования, позволяющая получать распределения температур в изделии электронной техники и оценивать тепловые сопротивления как устройства в целом, так и в отдельности каждого элемента конструкции. Представлены результаты расчета распределения температуры в многопальцевом мощном СВЧ-транзисторе. Установлено, что добавление теплораспределяющего элемента конструкции из поликристаллического СVD-алмаза между кристаллом и теплоотводом, в случае рассматриваемой модели, уменьшает суммарное тепловое сопротивление структуры и уменьшает тепловой перегрев транзисторной структуры примерно на 2%. Получены зависимости теплового сопротивления модели многопальцевого мощного СВЧ-транзистора от толщины и ширины теплораспределяющего элемента конструкции. Оптимальный размер ТЭК для данной модели, с точки зрения наименьшего теплового сопротивления структуры – 6000 ? 6000 ? 800 мкм. Приведено сравнение максимальной температуры, достигаемой в области тепловыделения при различных значениях конвекции для модели многопальцевого мощного СВЧ-транзистора на теплоотводе с теплораспределяющим элементом конструкции. Установлено, что естественной воздушной конвекции будет достаточно для отвода тепла.

БОЙЧЕНКО Д.В., КАЛАШНИКОВ О.А., КАРАКОЗОВ А.Б., НИКИФОРОВ А.Ю. — 2015 г.

Представлен рациональный методический подход к оценке дозовой стойкости КМОП-микросхем с учетом эффектов низкой интенсивности, подкрепленный результатами модельного анализа и экспериментальных исследований широкой номенклатуры изделий. Данный подход позволяет выбрать необходимый и достаточный объем радиационных исследований, обеспечивающий достоверную и информативную инженерную оценку радиационной стойкости КМОП-микросхем для применения в космической аппаратуре.

БИЗЯЕВ Д.А., БУХАРАЕВ А.А., ЗИГАНШИНА С.А., НУРГАЗИЗОВ Н.И., ХАНИПОВ Т.Ф., ЧУКЛАНОВ А.П. — 2015 г.

Представлены экспериментальные результаты по сканирующей зондовой литографии (СЗЛ) – получению литографических масок с помощью сканирующего зондового микроскопа. Полученные методом СЗЛ маски на основе полиметилметакрилата (ПММА) использованы для формирования металлических наночастиц заданных размеров и формы и металлических нанопроволок, соединяющих контактные площадки. Анализ различных режимов СЗЛ показал, что методика точечного индентирования с включенной обратной связью микроскопа является наиболее оптимальной для формирования наночастиц круглой формы. При создании прямоугольных частиц наиболее оптимальной является методика многократного сканирования одной области в контактном режиме. Качество литографических масок можно существенно повысить, если после формирования маски дополнительно использовать химическое травление для удаления лишнего ПММА. Топография и структура намагниченности созданных структур контролировалась методами атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопии.

ДВОРНИКОВ О.В., ДЯТЛОВ В.Л., ПРОКОПЕНКО Н.Н., ЧЕХОВСКИЙ В.А. — 2015 г.

На аналоговом базовом матричном кристалле АБМК-1.3 создана интегральная микросхема (ИС) для обработки фотосигналов кольцевого лазера, являющегося чувствительным элементом блока лазерных гироскопов. ИС содержит преобразователь ток–напряжение, фильтр нижних частот (ФНЧ) и полосовой фильтр (ПФ). Коэффициент преобразования входной ток – выходное напряжение (KIU) и полоса пропускания по уровню –3 дБ ( f-3) ФНЧ и ПФ регулируются изменением номиналов внешних RC-элементов. Типовые параметры ФНЧ KIU = 0.2 В/мкА, f-3 = 0–15 Гц, ПФ – KIU = 1.2 В/мкА, f-3 = 15 Гц–1.6 МГц. Приводятся схемные решения отдельных каскадов микросхемы и экспериментальные характеристики.

СОКОЛ В.А., ЯКОВЦЕВА В.А. — 2014 г.

Рассмотрены закономерности движения электролита в порах пористого анодного оксида алюминия под действием электрического поля во время формирования оксида. Представлена качественная картина обмена электролитом в растущей поре анодного оксида алюминия с учетом направления электрического поля и заряда диффузного слоя. Поскольку поверхность анодного оксида алюминия заряжена отрицательно, а слой электролита у стенок пор имеет положительный заряд, электролит у стенок поры под действием поля движется наружу. В результате у дна поры создается область пониженного давления, что приводит к движению электролита из объема раствора внутрь поры вдоль центральной части поры.

МАРТЮШЕВ С.Г., ШЕРЕМЕТ М.А. — 2014 г.

Проведен численный анализ нестационарных режимов сложного теплопереноса в герметичном элементе радиоэлектронной аппаратуры или электронной техники (РЭА или ЭТ) с теплопроводными стенками конечной толщины при наличии локального источника энергии с постоянной плотностью объемного тепловыделения в условиях конвективного охлаждения со стороны внешней среды. В стационарном режиме получены распределения изолиний функции тока и температуры, характеризующие основные закономерности исследуемого процесса. Показаны масштабы влияния коэффициента теплоотдачи на внешних поверхностях стенок и степени черноты материалов ограждающей твердой оболочки и источника энергии на интенсивность охлаждения тепловыделяющего элемента.

АРЖАНОВА Н.А., МОЖАЕВ А.В., ПРОКАЗНИКОВ А.В. — 2014 г.

Основываясь на анализе результатов экспериментов и компьютерного моделирования, продемонстрировано, что существуют технологические режимы порообразования в системе электролит–кремний, которые управляются доставкой дырок к границе раздела двух сред. Разработана последовательная трехмерная динамическая компьютерная модель, описывающая формирование пористых кластеров в кремнии, которая учитывает различные аспекты протекания процесса анодирования, в том числе изменение электрического потенциала в системе при изменении конфигурации границы кристалла с электролитом. Исследована специфика режима, связанного с транспортом дырок, который описывается уравнениями, масштабно-инвариантными по отношению к аффинным преобразованиям пространственных и временнх переменных. Пористые кластеры, сформированные в подобных технологических режимах обладают свойством фрактального самоподобия. х переменных. Пористые кластеры, сформированные в подобных технологических режимах обладают свойством фрактального самоподобия.

АФАНАСЬЕВА Д.Е., ЗВЕЗДИН Н.Ю., ПАПОРКОВ В.А., ПРОКАЗНИКОВ А.В. — 2014 г.

Исследование магнитооптических свойств двумерных фотонных кристаллов на основе легированных кремневых пластин, покрытых слоем кобальта толщиной несколько нанометров и находящемся на слое хрома толщиной несколько десятков нанометров, продемонстрировало наличие квазипериодических изменений магнитных свойств системы при взаимодействии с электромагнитным излучением. Обнаруженные осцилляции на угловых зависимостях магнитооптического экваториального эффекта Керра связываются с выполнением резонансных условий, когда в магнитной пластине формируется стоячая электромагнитная волна, способствующая повороту спинов в системе и тем самым изменению ее магнитных свойств.

ЗАХАРОВ А.О., ЛАПШИНОВ Б.А., МАГУНОВ А.Н. — 2014 г.

Зарегистрированы спектры теплового излучения монокристаллов кремния, нагреваемых непрерывным лазерным пучком (длина волны 1.064 мкм), в диапазоне длин волн = 200–2500 нм. Методом спектральной пирометрии проведено определение температур кремния в интервале Т = 900–1700 К. Обработка последовательности спектров, регистрируемых с частотой 100–1000 Гц, позволяет восстановить эволюцию температуры кристалла при лазерном нагревании в случае, когда скорости нагревания не слишком велики. Обсуждаются особенности разных спектральных интервалов применительно к задаче измерения температуры кремния. Показано, что при лазерном нагревании кремния температура поверхностного слоя неоднородна по глубине, что проявляется в отличиях между средними значениями, вычисленными по спектрам теплового излучения, и температурой поверхности.

БРИНКЕВИЧ Д.И., БРИНКЕВИЧ С.Д., ВАБИЩЕВИЧ Н.В., ОДЖАЕВ В.Б., ПРОСОЛОВИЧ В.С. — 2014 г.

Исследованы процессы радиационного дефектообразования при ионной имплантации пленок позитивного фоторезиста ФП9120. Установлено, что процессы радиационного дефектообразования протекают не только в области торможения ионов, но и далеко за областью проецированного пробега ионов Sb. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен сильнее. Предположительно, он обусловлен процессами радиационного сшивания. Ионная имплантация приводит к снижению микротвердости вблизи границы раздела фоторезист/Si, что обусловлено ухудшением адгезионного взаимодействия фотополимерной пленки с кремнием.

БАРБАШОВ В.М., ЕПИФАНЦЕВ К.А., ТРУШКИН Н.С. — 2014 г.

Предложен подход к оценке взаимосвязи вероятностных и нечетких моделей для моделирования функциональных отказов БИС, которые основаны на нечетком цифровом автомате Брауэра и топологических вероятностных моделях оценки работоспособности цифровых устройств. В первом случае поведение БИС определяется изменением детерминированных статических и динамических параметров, во втором – статистическим разбросом пороговых уровней отказа.

ДЕНИСЕНКО Ю.И., ЛУКИЧЕВ В.Ф., ОВЧАРОВ В.В., РУДАКОВ В.И. — 2014 г.

Экспериментально и теоретически исследовано влияние градиента температуры на диффузию бора, фосфора и мышьяка при отжиге кремния в неизотермическом ламповом реакторе в секундном и минутном диапазонах. Определены параметры термодиффузионного процесса: для диффузии бора в секундном диапазоне – эффективный коэффициент диффузии Deff 10-12 см2 и эффективная измеряемая теплота переноса Q 103 104 эВ. Дано объяснение полученным результатам на основе уравнений неравновесной термодинамики.

РУДЕНКО К.В., ФАДЕЕВ А.В. — 2014 г.

Проведено исследование однородности плазмы (BF3 + 2% Ar) методом двухракурсной эмиссионной оптической томографии в экспериментальном плазмохимическом реакторе. Оно позволило реконструировать латеральное распределение концентрации как ионной компоненты плазмы B+, так и свободных радикалов F*. Для исследования возможностей томографического алгоритма эксперимент проводился при различных значениях давления в камере реактора, использовался асимметричный газовый ввод, вводились искусственные неоднородности пристеночного магнитного поля, а также исследовалось влияние кремниевой пластины на латеральное распределение частиц.

ДУНАЕВ А.В. — 2014 г.

Для формирования топологии на поверхности полупроводников часто применяется хлорсодержащая плазма и ее смеси с молекулярными и инертными газами. Проведено сравнительное исследование качества поверхности полупроводниковой структуры после плазмохимического травления в плазме смесей HCl/Ar, HCl/Cl2, HCl/h3. Высокие скорости травления в хлоре приводят к множеству нежелательных эффектов, в то время как плазма хлороводорода и его смесей позволяет проводить травление с лучшей равномерностью и чистотой процесса. Тем не менее, контроль качества поверхности образцов остается актуальной задачей современной электроники. Контроль поверхности образцов проводился посредством атомно-силового микроскопа Solver-P47Pro.

КУДРЯ В.П., МАИШЕВ Ю.П., ШЕВЧУК С.Л. — 2014 г.

Представлены полученные с помощью разработанного во ФТИАН РАН источника протяженных пучков быстрых нейтральных частиц (БНЧ) “Нейтрал-110Л” результаты исследования скорости и селективности травления кремниевых подложек, а также пленок SiO2, W, TiN, TiC и NbN при использовании в качестве рабочих газов химически активных соединений CF4, C3F6 и SF6. Показана возможность достижения значений селективности травления пучками БНЧ указанных материалов относительно SiO2 в диапазоне 10–16. Проведено сравнение с опубликованными к настоящему времени результатами исследований в этой области.

БАБУШКИНА Н.В., КОВАЛЕВСКИЙ А.А., СТРОГОВА А.С., СТРОГОВА Н.С. — 2014 г.

Рассмотрена одна из основных проблем электроники МДП-приборов повышение стабильности их характеристик. Это решение проблемы обеспечено снижением плотности поверхностных состояний за счет использования в качестве туннельного и запирающего слоя пленок нитрида кремния, легированных редкоземельными элементами, а в качестве запоминающей среды нанокластеров твердого раствора SiGe и Ge. Проведены CV-исследования электрофизических параметров МДП-структур Me Si3N4 (редкоземельные элементы)–нанокластеры Ge(SiGe) Si3N4 (редкоземельные элементы)–nSi, в которых использованы в качестве легирующих компонентов редкоземельные элементы с различным атомным радиусом. Установлена закономерность влияния величины радиуса редкоземельных элементов на электрофизические характеристики МДП-структур.

ЛЕМЕНТУЕВ В.А. — 2014 г.

Обобщена линеаризированная волновая модель кольцевого генератора на КМДП инверторах. На основе степенного характера (в отличие от гармонического) нелинейного диапазона волны колебаний получены простые математически точные аналитические выражения для частоты колебаний как функции основных физических и геометрических макро–параметров, в том числе от напряжения питания. Впервые определена реальная энергия переключения инвертора относительно собственно перезаряда емкости-CЕ2/2, а также даны оценки мощности, потребляемой за период колебаний.

КАТЕЕВ И.Ю., ЦУКАНОВ А.В. — 2014 г.

Рассматриваются твердотельные гибридные системы, которые образованы взаимодействующими полупроводниковыми квантовыми точками и высокодобротными оптическими резонаторами на основе разнообразных дефектов в фотонных кристаллах. Дается общая информация о типах твердотельных оптических структур, а также приводятся сведения из теории, необходимые для описания их спектров и динамики. Во второй части анализируются основные экспериментальные данные, полученные за последние несколько лет. В третьей части обсуждаются варианты применения таких систем в квантовых информационных технологиях.

КАТЕЕВ И.Ю., ЦУКАНОВ А.В. — 2014 г.

Мы продолжаем рассматривать твердотельные гибридные системы, образованные полупроводниковыми квантовыми точками и микрорезонаторами, которые интегрированы в единую оптическую сеть. Во второй части основное внимание будет уделено методам исследования и схемам измерения их спектров и зависимостей населенностей энергетических уровней от времени. Будут представлены результаты экспериментов, иллюстрирующие современный уровень контроля квантового состояния таких систем.

ЦУКАНОВ А.В. — 2014 г.

Мы продолжаем рассматривать гибридные системы, которые базируются на квантовых точках, интегрированных в твердотельные оптические структуры – фотонные молекулы. Во второй части обзора будут представлены основные результаты, имеющие прямое или косвенное отношение к обработке квантовой информации при помощи данных систем. В частности, мы познакомимся с простейшей ячейкой твердотельного квантового регистра – квантовой точкой, когерентно взаимодействующей с делокализованными фотонными модами. Кроме того, мы подробно обсудим свойства и технологии изготовления протяженных фотонных молекул – структурированных волноводов, функционирующих как транспортные каналы в процессе управления кубитами.

ЕФРЕМОВ А.М., ЛЕВЕНЦОВ А.Е., МУРИН Д.Б. — 2014 г.

Проведено исследование кинетики и режимом плазмохимического травления GaAs в условиях индукционного ВЧ разряда в CCl2F2. Подтверждено, что основными химически активными частицами, обеспечивающими травление GaAs, являются атомы хлора. Показано, характер кинетических кривых и вид зависимостей скорости травления от давления газа определяется энергией ионов, бомбардирующих поверхность. Установлено, что при протекании процесса травления в стационарном режиме имеет место удовлетворительная корреляция между изменениями скорости убыли массы образца и концентрацией продуктов травления в газовой фазе разряда.

СКОРОБОГАТОВ П.К. — 2014 г.

Приведены результаты обзора многочисленных исследований в области современной нанооптики, которые показывают, что существуют различные механизмы проникновения энергии лазерного излучения вглубь субволновых апертур. Они показывают, что лазерные имитационные методы моделирования объемных ионизационных эффектов могут использоваться вплоть до нанометровых уровней технологии микросхем с обязательной калибровкой дозиметрии.

ОЖЕГИН Ю.А. — 2014 г.

Предложена методика обработки рентгеновских изображений микросхем, позволяющая производить количественное сравнение изображений на этапе входного контроля в целях идентификации и выявления несоответствующей продукции. Предлагаемый способ сравнения рентгеновских изображений может служить дополнением к уже существующим способам идентификации образцов микросхем.

КОРОТКОВ А.С. — 2014 г.

В обзоре рассматриваются системы калибровки и коррекции основных классов аналого-цифровых преобразователей: параллельных, конвейерных, последовательного приближения, на основе дельта-сигма-модуляторов. В том числе анализируются вопросы построения схем с избыточностью и автокалибровкой. Приводятся технические характеристики современных преобразователей в целом, выделяются перспективные направления развития.

НИКИФОРОВ А.Ю., СКОРОБОГАТОВ П.К. — 2008 г.

Выполнен анализ влияния неравномерности ионизации кремниевых ПП и ИС по глубине и поверхности на адекватность лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов. Показано, что неравномерность ионизации по глубине, связанная с поглощением лазерного излучения подложкой ПП или ИС, практически не сказывается на параметрах ионизационной реакции при использовании излучения первой гармоники твердотельных неодимовых лазеров (длина волны 1.06 1.08 мкм). Анализ неравномерности ионизации вдоль поверхности ПП или ИС, связанный с влиянием металлизации, показал, что в большинстве практических случаев процессы диффузии и дрейфа генерированных лазерным излучением неравновесных носителей заряда приводят к выравниванию распределения носителей за времена, сравнимые с длительностью импульса излучения. В этом случае результирующее влияние металлизации может быть учтено поправочным коэффициентом, учитывающим отношение площади металлизации к общей площади кристалла. Для уменьшения влияния металлизации предложено использовать специальные рассеиватели (гомогенизаторы), преобразующие когерентного лазерное излучение в диффузное (рассеянное) излучение. Разработана оптическая модель формирования эквивалентной поглощенной дозы при воздействии диффузного лазерного излучения. Показано, что использование диффузного излучения способствует выравниванию неравномерности распределения эквивалентной мощности поглощенной дозы по объему полупроводника, обусловленной влиянием металлизации. Результаты расчетов подтверждаются экспериментальными данными.

НИКИФОРОВ А.Ю., СКОРОБОГАТОВ П.К. — 2008 г.

Исследовано влияние температуры на адекватность лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в кремниевых ПП и ИС. Показано, что при использовании излучения первой гармоники твердотельных неодимовых лазеров (длина волны 1.06 1.08 мкм) наиболее существенным фактором является зависимость коэффициента поглощения лазерного излучения (ЛИ) от температуры. На основе анализа объемных ионизационных эффектов в кремниевых ПП и ИС получены зависимости для расчета эквивалентной мощности поглощенной дозы, создаваемой лазерным излучением в полупроводнике, с учетом температуры прибора. Результаты анализа подтверждены экспериментальными данными, полученными при испытаниях тестовых структур и ИС КМОП технологии.

ЕЖОВСКИЙ Ю.К., ХОЛКИН В.Ю. — 2008 г.

На поверхности кремния (100) и арсенида галлия (100) и (110) методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения) осуществлен синтез ультратонких хромоксидных слоев (наноструктур). Установлено влияние технологических факторов на состав и основные закономерности их формирования. Проведена оценка некоторых диэлектрических свойств хромоксидных наноструктур и качества границы раздела полупроводник–диэлектрик.

ГУСЕВ В.Н., РУДАКОВ В.И. — 2008 г.

Методом оже-электронной спектроскопии исследовано образование контактной системы TiN/CoSi2 с помощью быстрого неизотермического отжига структуры Co/Ti/Si в среде азота. Неизотермический отжиг осуществлялся при различных направлениях градиента температуры. Установлено, что формирование контактной системы происходит только при положительном направлении градиента температуры. Обсуждается влияние различных факторов на образование контактной системы.

АМИРОВ И.И., ГЕРКЕ М.Н., ГОРЛАЧЕВ Е.С., ЗИМИН С.П. — 2008 г.

Представлен способ создания микро- и наноструктур на поверхности эпитаксиальных пленок А4В6 на подложках Si(111) при обработке в аргоновой ВЧИ-плазме. Показана роль пронизывающих дислокаций и террас на поверхности в процессе формирования микро- и нановыступов. Определена зависимость параметров процесса распыления от величины ВЧ-смещения, длительности обработки. Установлено, что причиной самоформирования микровыступов является микромаскирование труднолетучими компонентами областей выхода дислокаций на поверхности пленки.

ЗЕНИН В.В., НОВОКРЕЩЕНОВА Е.П., ХИШКО О.В. — 2008 г.

Проанализированы способы и устройства для изготовления шариков припоя и размещения их на контактных площадках кристалла. Рассмотрены способы и технологические особенности изготовления столбиковых припойных выводов из припоя. Приведены сведения о способах и устройствах для образования шариковых выводов на кристалле оплавлением проволоки. Рассмотрены конструктивно-технологические особенности пайки полупроводниковых кристаллов со столбиковыми выводами к основаниям корпусов или подложкам.

АРАКЕЛОВ К.С. — 2008 г.

С помощью численного моделирования рассмотрен процесс образования положительного молекулярного иона в процессе резонансного рассеяния положительного иона на собственном атоме. Предложен метод расчета физических характеристик процесса, основанный на представлении эволюции квазиклассической -функции системы как классической эволюции всех пар экземпляров первоначальных частиц. Рассчитаны интегральные характеристики модельных процессов образования молекулярного иона. Получены оценки вероятности образования положительного молекулярного иона водорода.

ТИХОНОВ Р.Д. — 2008 г.

При сравнении результатов измерения двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора, сформированного в равномерно легированной подложке или в диффузионном кармане установлено, что разность напряжения коллекторов при воздействии магнитного поля имеет разный знак. Эффект трактуется используя понятие знака магниточувствительности. С помощью приборно-технологического моделирования исследованы распределения носителей заряда, плотности токов и скорости рекомбинации в магнитотранзисторе, сформированном в кармане при внешнем соединении контактов к подложке и к карману. Показано, что при планарном расположении контактов к подложке в результате действия гальваномагнитных эффектов возникает объемный концентрационно-рекомбинационный механизм отрицательной магниточувствительности. Ключевые слова: биполярный магнитотранзистор, гальваномагнитные эффекты, знак магниточувствительности.

РОГАТКИН Ю.Б. — 2007 г.

Представлены результаты использования алгоритмической макромодели аналого-цифрового преобразователя (АЦП) конвейерного типа при разработке сложно-функциональных блоков для аналого-цифрового преобразования. Приведены результаты расчетов.

АВДЕЕВ Н.А., КЛИМОВ И.В., ЯКОВЛЕВ Р.А. — 2007 г.

На основании анализа флуктуационной и туннельной моделей произведен выбор параметров для оценки уширения кривых нормированной проводимости. Получены аналитические выражения для этих параметров. Предложен метод разделения влияния обоих механизмов на форму кривой нормированной проводимости. Метод позволяет определить численные значения глубины залегания состояний и дисперсии поверхностного потенциала при условии их одновременного вклада в гетерогенность реальной границы раздела полупроводник-диэлектрик.

АМИРОВ И.И., МОРОЗОВ О.В. — 2007 г.

Приведены условия реализации аспектнонезависимого (АНЗ) травления в циклическом двухстадийном (травление/пассивация) процессе в плазме SF6/C4F8. Экспериментально показано, что АНЗ травление достигается с увеличением времени стадии пассивации и/или снижением энергии ионов на стадии травления. При этом происходит увеличение длительности удаления фторуглеродной пленки, которая влияет на характер зависимости скорости травления от аспектного отношения канавки. Представлена модель циклического травления, учитывающая аспектные зависимости процессов на дне канавки: травления Si, осаждения и удаления фторуглеродной пленки. Результаты моделирования удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Обсуждены ограничения реализации АНЗ травления.

ДЕВЯТОВА С.Ф., ЕРКОВ В.Г. — 2007 г.

Исследовано влияние добавок водорода, сравнимых с концентрациями моносилана, на особенности пиролиза моносилана и осаждения слоев поликристаллического кремния в температурном интервале 640–700°C в изотермической зоне РПД промышленного типа с горячими стенками. Энергия активации пиролиза моносилана изменяется от 171 кДж/моль в отсутствии водорода до 247 кДж/моль при введении водорода в газовую смесь. Водород существенно замедляет процесс пиролиза моносилана, причем на стадии молекулярного маршрута разложения Sih5 в газовой фазе, при этом эффективный порядок реакции пиролиза по водороду равен ( 2 ± 0.02). Обнаружена сложная зависимость расхода моносилана на осаждение ПК от удельной поверхности осаждения слоев поликристаллического кремния. Подобраны режимы осаждения ПК, обеспечивающие при T= 700°C его равномерное осаждение по ИЗ. При этом удельная проводимость полученных слоев ПК после легирования была в 1.5–2 раза выше проводимости слоев, осаждаемых в стандартных режимах при 640°C и легированных таким же образом.

ВОЙТЕХ С.Н., ДОЛБИК А.В., КОВАЛЕВСКИЙ А.А. — 2007 г.

Исследованы закономерности изменения температурного коэффициента сопротивления (ТКС) пленок поликристаллического кремния, легированных редкоземельными элементами (РЗЭ), кислородом, германием, бором и фосфором от условий их формирования. Показано, что количественное содержание РЗЭ, кислорода и доза имплантированного бора и фосфора в объеме пленки, а также температурно-термическое воздействие на пленки, после их осаждения, являются основополагающими факторами, оказывающими самое существенное влияние на знак и на величину ТКС. Установлены общность и различие в закономерностях изменения ТКС нелегированных и легированных различными примесями и различными методами пленок поликристаллического кремния (ПКК). Показано, что тонкопленочные резисторы, сформированные на основе пленок поликристаллического кремния, легированных РЗЭ и германием, характеризуются отрицательным ТКС, как и нелегированные, а легированные германием, в сочетании с бором и с фосфором при концентрации последних более 1018 ат · см–3 – положительным ТКС. Повышение концентрации таких легирующих примесей, как РЗЭ, кислород, германий (Ge), бор (B), фосфор (P) в объеме пленки способствует изменению знака ТКС с отрицательной величины на положительную.

ОВЧАРОВ В.В., РУДАКОВ В.И. — 2007 г.

Получено аналитическое решение уравнения диффузии в температурном поле с постоянным градиентом температуры для начального распределения концентрации вещества, описываемого функцией Гаусса и учитывающее температурную зависимость коэффициента диффузии. Показано, что температурная зависимость коэффициента диффузии, в случае больших градиентов температуры, приводит к сильной расходимости хвостов неизотермических концентрационных профилей, соответствующих одинаковым по модулю, но разным по знаку градиентам температуры. Дается объяснение особенностям неизотермических концентрационных профилей.

ЖУКОВ В.А., ЗАВЬЯЛОВА А.В., ТИТОВ А.И. — 2007 г.

Разрешение в сканирующих аналитических и технологических ионных микроскопах (FIB) определяется тремя основными факторами: 1) размером гауссового (идеального) изображения источника, 2) ионно-оптическими аберрациями этого изображения, 3) рассеянием первичных ионов и вторичных частиц (ионов и электронов) в мишени. В работе показано, что в настоящее время, благодаря последним исследованиям, впервые возникли предпосылки для сведения к минимуму каждого из трех факторов. Такими предпосылками являются: 1) разработка уникальных, обладающих повышенной яркостью и монохроматичностью, автоионизационных источников ионов с размером эффективной области эмиссии менее 1 нм, 2) разработка теории коррекции осевых аберраций ионно-оптических систем с помощью комбинированного электромагнитного зеркала, 3) исследования по столкновению медленных ионов He+ с поверхностью чистых металлов и исследования торможения медленных ионов в алмазе. Впервые предложена и теоретически исследована модель FIB, в которой используются названные предпосылки и минимизируются все выше упомянутые факторы. Показано, что при коррекции одной лишь хроматической аберрации с помощью предложенного авторами комбинированного электромагнитного зеркала возможно разрешение 1.6 нм в аналитическом и 1.5 нм в технологическом FIB. Показано, что в идеальном (безаберрационном) случае возможно было бы разрешение 0.6 нм в аналитическом и 1 нм в технологическом FIB.

ГОРБАЦЕВИЧ А.А., КАПАЕВ В.В. — 2007 г.

В многомодовом приближении рассмотрен электронный транспорт в волноводах с переменным сечением, которые могут быть сформированы в двумерном электронном газе методами нанолитографии. Сужения и расширения волновода при этом играют роль аналогичную потенциальным барьерам и ямам в полупроводниковых гетероструктурах. Из-за сильного межмодового взаимодействия наряду с надбарьерными резонансами и резонансным туннелированием заметный вклад в вольт-амперную характеристику вносят резонансы Фано.

ПАНКРАТОВ Е.Л. — 2007 г.

Проведен анализ динамики примеси при ее диффузии в неоднородной структуре в процессе производства p–n-перехода. Путем анализа функции влияния неоднородности коэффициента диффузии на динамику примеси получены условия на закон изменения коэффициента диффузии в пространстве, необходимые для увеличения резкости и выбора глубины p–n-перехода и проведена оптимизация времени отжига, при котором достигается компромиссное соотношение между увеличением резкости и равномерности распределения примеси в обогащенных ею областях p–n-перехода.

ГАВРИЛЮК И.И., КЛИМЕНКО А.С., МОШЕЛЬ Н.В., ПОКАНЕВИЧ А.П., ПОПОВ В.М. — 2007 г.

Систематизированы результаты жидкокристаллической (ЖК) термографии “горячих точек” в образцах изделий электронной техники при анализе их отказов. Выделены две группы методов, основанные на использовании неориентированных ЖК (группа 1) и однородно ориентированных ЖК (группа 2), определены условия их применения для различных типов образцов. Разработаны новые высокочувствительные методы ЖК-термографии. Приведены техника и режимы реализации методов. Исследованы различные визуальные ЖК-образы “горячих точек” на образцах интегральных схем и солнечных батарей.

АГЕЕВ О.А., КОНОПЛЕВ Б.Г., ПОЛЯКОВ В.В., СВЕТЛИЧНЫЙ А.М., СМИРНОВ В.А. — 2007 г.

Приведены результаты экспериментального исследования влияния фотонной стимуляции на геометрические параметры структур, полученных на основе пленки титана с помощью зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления (ЛАО). Установлено, что использование потоков некогерентного УФ- и ИК-излучения при ЛАО приводит к повышению однородности геометрических параметров тестовых наноразмерных структур и повышению разрешающей способности нанолитографии. Для подтверждения полученных результатов показано, что использование УФ-стимуляции процесса ЛАО позволяет формировать в пленке титана канал шириной 11 нм.

МЯКОНЬКИХ А.В., ОРЛИКОВСКИЙ А.А., ПУСТОВИТ А.Н., РУДЕНКО К.В. — 2007 г.

Предложен и обоснован вариант метода Ленгмюровского зонда для измерения параметров плотной низкотемпературной плазмы низкого давления, приводящей в стационарных условиях к образованию диэлектрических пленок на поверхности. В основе метода – поддержание поверхности зонда свободным от непроводящих пленок при помощи циклически используемого режима ионной очистки. На основе физических механизмов формирования призондового слоя ОПЗ установлены временные границы для динамически переключаемого режима ионной очистки и адекватного интервала измерения точки ВАХ. Приведены результаты экспериментальных исследований полимеробразующей плазмы СНF3 и плазмы аргона в ICP-реакторе, подтверждающие надежность динамического способа измерения ВАХ зонда в плазме.